[發(fā)明專利]壓力控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811024234.4
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109183003B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋海;王秉國;蒲浩;沈超
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/455;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳;陳麗麗

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種壓力控制方法。壓力控制方法包括如下步驟：提供一反應(yīng)腔室；采用抽氣泵對所述反應(yīng)腔室抽氣，并根據(jù)所述抽氣泵的泵送性能信息向所述反應(yīng)腔室注入補償氣體，使所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力保持在預(yù)設(shè)壓力。本發(fā)明提高了對反應(yīng)腔室內(nèi)壓力控制的準(zhǔn)確度，改善了半導(dǎo)體工藝制程的質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種壓力控制方法。

背景技術(shù)

隨著平面型閃存存儲器的發(fā)展，半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝取得了巨大的進步。但是最近幾年，平面型閃存的發(fā)展遇到了各種挑戰(zhàn)：物理極限、現(xiàn)有顯影技術(shù)極限以及存儲電子密度極限等。在此背景下，為解決平面閃存遇到的困難以及追求更低的單位存儲單元的生產(chǎn)成本，各種不同的三維(3D)閃存存儲器結(jié)構(gòu)應(yīng)運而生，例如3D NOR(3D或非)閃存和3D NAND(3D與非)閃存。

其中，3D NAND存儲器以其小體積、大容量為出發(fā)點，將儲存單元采用三維模式層層堆疊的高度集成為設(shè)計理念，生產(chǎn)出高單位面積存儲密度，高效存儲單元性能的存儲器，已經(jīng)成為新興存儲器設(shè)計和生產(chǎn)的主流工藝。

3D NAND存儲器的制造需要經(jīng)歷若干步處理步驟，而許多加工工藝的實施，都需要確保反應(yīng)腔室內(nèi)為低壓環(huán)境，例如低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical VaporDeposition，LPCVD)工藝、原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)工藝等。這就要求對所述反應(yīng)腔室內(nèi)進行壓力控制。然而，現(xiàn)有的壓力控制裝置或者控制方法，都不能準(zhǔn)確的控制所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力，導(dǎo)致半導(dǎo)體制造工藝質(zhì)量的下降，從而影響3D NAND存儲器的性能。

因此，如何準(zhǔn)確控制反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力，提高3D NAND存儲器的性能，是目前亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種壓力控制方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)不能準(zhǔn)確控制半導(dǎo)體反應(yīng)腔室內(nèi)部壓力的問題，以改善3D NAND存儲器的性能。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種壓力控制方法，包括如下步驟：

提供一反應(yīng)腔室；

采用抽氣泵對所述反應(yīng)腔室抽氣，并根據(jù)所述抽氣泵的泵送性能信息向所述反應(yīng)腔室注入補償氣體，使所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力保持在預(yù)設(shè)壓力。

優(yōu)選的，對所述反應(yīng)腔室抽氣之前還包括：

開啟連接于所述反應(yīng)腔室與一抽氣泵之間的閥門，連通所述反應(yīng)腔室與所述抽氣泵。

優(yōu)選的，所述閥門為蝴蝶閥。

優(yōu)選的，所述反應(yīng)腔室內(nèi)持續(xù)通入預(yù)設(shè)流速的吹掃氣體；根據(jù)所述抽氣泵的泵送性能信息向所述反應(yīng)腔室注入補償氣體的具體步驟包括：

獲取所述泵送性能信息，所述泵送性能信息為采用所述抽氣泵對所述反應(yīng)腔室抽氣時，傳輸至所述反應(yīng)腔室的吹掃氣體流速與所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力之間的對應(yīng)關(guān)系信息；

從所述泵送性能信息中選擇與所述預(yù)設(shè)壓力匹配的所述反應(yīng)腔室內(nèi)的氣體流速，作為理論氣體流速；

以所述理論氣體流速與所述預(yù)設(shè)流速之差作為所述補償氣體的注入流速。

優(yōu)選的，還包括如下步驟：

提供一標(biāo)準(zhǔn)泵；

獲取所述標(biāo)準(zhǔn)泵的標(biāo)準(zhǔn)信息，所述標(biāo)準(zhǔn)信息是采用所述標(biāo)準(zhǔn)泵對所述反應(yīng)腔室抽氣時，傳輸至所述反應(yīng)腔室的吹掃氣體流速與所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力之間的對應(yīng)關(guān)系信息；

從所述標(biāo)準(zhǔn)信息中選擇與所述預(yù)設(shè)流速匹配的所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力，作為第一壓力；

從所述泵送性能信息中選擇與所述預(yù)設(shè)流速匹配的所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力，作為第二壓力；