[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811023882.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN110071137A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王群雄;陳政欣;吳家偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 創(chuàng)王光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L21/768
• 代理公司: 北京天馳君泰律師事務(wù)所 11592
• 代理人: 孟銳

一發(fā)光裝置包含一晶體管。該晶體管具有一柵極層以及位于該柵極層下方的一介電質(zhì)。該發(fā)光裝置亦包含耦接至該晶體管的一電容。該電容包含一第一電極、位于該第一電極上方的一第二電極，以及位于該第一電極與該第二電極之間的一介電質(zhì)。該發(fā)光裝置進(jìn)一步包含一接觸介電質(zhì)，該接觸介電質(zhì)分隔該晶體管與該電容。該接觸介電質(zhì)完全圍繞該電容與該晶體管，且該接觸介電質(zhì)是無氮的。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是關(guān)于發(fā)光裝置，特別是關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示已被廣泛使用于大部分高階電子裝置中。然而，由于現(xiàn)今技術(shù)的限制，像素定義(pixel definition)是透過一遮罩將一發(fā)光材料涂布于一基板上而實(shí)現(xiàn)，且遮罩的臨界尺寸(critical dimension)常無法小于100微米。因此，產(chǎn)生800ppi或更高的像素密度對(duì)顯示器制造商而言是困難的任務(wù)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本揭露的一實(shí)施例，一發(fā)光裝置包含一發(fā)光二極管及一晶體管。該晶體管是耦接至該發(fā)光二極管。該晶體管亦包含一源極/漏極。該發(fā)光裝置包含一導(dǎo)電插塞，其具有座落于該源極/漏極上的一端及耦接至該發(fā)光二極管的另一端，其中該導(dǎo)電插塞與該源極/漏極之間的一接觸面積是小于1μm乘以1μm。

在一些實(shí)施例中，該導(dǎo)電插塞是被一同質(zhì)(homogeneous)介電質(zhì)所圍繞。

在一些實(shí)施例中，該發(fā)光二極管是一有機(jī)發(fā)光二極管。

在一些實(shí)施例中，該發(fā)光二極管是位于一發(fā)光陣列中，且該發(fā)光陣列具有大于800ppi的一像素密度。

在一些實(shí)施例中，該導(dǎo)電插塞具有大于約0.7的一長寬比。

在一些實(shí)施例中，該源極/漏極具有與該導(dǎo)電插塞介接的一金屬硅化物。

在一些實(shí)施例中，該晶體管包含一柵極層及位于該柵極層下方的一通道層，其中該源極/漏極是位于該通道層的一端上。

在一些實(shí)施例中，該通道層的一厚度是不均勻，該通道層的一中央部分是突出一高度的一臺(tái)面，該高度高于該源極/漏極。

根據(jù)本揭露的另一實(shí)施例，一種發(fā)光裝置包含一晶體管。該晶體管包含一柵極層以及位于該柵極層下方的一介電質(zhì)。該發(fā)光裝置亦包含耦接至該晶體管的一電容。該電容包含一第一電極、位于該第一電極上方的一第二電極，以及位于該第一電極與該第二電極之間的一介電質(zhì)。該發(fā)光裝置進(jìn)一步包含一接觸介電質(zhì)，其分隔該晶體管與該電容。該接觸介電質(zhì)完全圍繞該晶體管與該電容，且該接觸介電質(zhì)是無氮的。

在一些實(shí)施例中，該柵極層的一厚度與該第一電極的一厚度實(shí)質(zhì)上相同。

在一些實(shí)施例中，該電容的介電質(zhì)包含氮。

在一些實(shí)施例中，該電容是透過該晶體管的一源極/漏極耦接至該晶體管。

在一些實(shí)施例中，進(jìn)一步包含位于該晶體管與該電容下方的基板。

在一些實(shí)施例中，該接觸介電質(zhì)包含二氧化硅。

根據(jù)本揭露的又一實(shí)施例，一發(fā)光裝置包含位于一基板上方的一晶體管，且該基板包含至少二個(gè)聚合物層及位于該二個(gè)聚合物層之間的一無機(jī)層。該發(fā)光裝置亦包含位于該基板上方并耦接至該晶體管的一電容，該電容包含一第一電極、位于該第一電極上方的一第二電極，以及介于該第一與第二電極之間的一介電質(zhì)。該發(fā)光裝置進(jìn)一步包含一接觸介電質(zhì)，其分隔該晶體管與該電容，該接觸介電質(zhì)完全圍繞該電容與該晶體管，且該接觸介電質(zhì)是無氮的。

在一些實(shí)施例中，該兩個(gè)聚合物層的一者的一厚度是介于約1μm至約5μm。在一些實(shí)施例中，該基板進(jìn)一步包含配置于該兩個(gè)聚合物層之間的一層，且該層包含一無機(jī)層。在一些實(shí)施例中，該層是一多層結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，該兩個(gè)聚合物層的一者包含氧化硅，或氮化硅，或氧化鋁。