[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811023882.8
• 申請(qǐng)日: 2018-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110071137A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王群雄;陳政欣;吳家偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 創(chuàng)王光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L21/768
• 代理公司: 北京天馳君泰律師事務(wù)所 11592
• 代理人: 孟銳

1.一種發(fā)光裝置，包含：

一發(fā)光二極管；

一晶體管，其耦接至該發(fā)光二極管，該晶體管包含一源極/漏極；以及

一導(dǎo)電插塞，其包含位于該源極/漏極上的一端以及耦接至該發(fā)光二極管的另一端，其中該導(dǎo)電插塞與該源極/漏極之間的一接觸面積小于1μm乘以1μm。

2.如權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該導(dǎo)電插塞是由一同質(zhì)介電質(zhì)所包圍。

3.如權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光二極管是一有機(jī)發(fā)光二極管。

4.如權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該發(fā)光二極管是位于一發(fā)光陣列中，且該發(fā)光陣列具有高于800ppi的一像素密度。

5.如權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該導(dǎo)電插塞具有大于約0.7的一長(zhǎng)寬比。

6.如權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該源極/漏極具有與該導(dǎo)電插塞介接的一金屬硅化物。

7.如權(quán)利要求1的發(fā)光裝置，其中該晶體管包含一柵極層及位于該柵極層下方的一通道層，其中該源極/漏極位于該通道層的一端上。

8.如權(quán)利要求7的發(fā)光裝置，其中該信道層的一厚度系不均勻，該通道層的一中央部分為突出一高度的一臺(tái)面，該高度高于該源極/漏極。

9.一種發(fā)光裝置，其包含：

一晶體管，其包含一柵極層及位于該柵極層下方的一介電質(zhì)；

一電容，其耦接至該晶體管，且該電容包含一第一電極、位于該第一電極上方的一第二電極，以及位于該第一電極與該第二電極之間的一介電質(zhì)；以及

一接觸介電質(zhì)，其分隔該晶體管與該電容，該接觸介電質(zhì)完全圍繞該晶體管與該電容，其中該接觸介電質(zhì)是無(wú)氮的。

10.如權(quán)利要求9的發(fā)光裝置，其中該柵極層的一厚度與該第一電極的一厚度實(shí)質(zhì)上相同。

11.如權(quán)利要求9的發(fā)光裝置，其中該電容的該介電質(zhì)包含氮。

12.如權(quán)利要求9的發(fā)光裝置，其中該電容是透過(guò)該晶體管的一源極/漏極耦接至該晶體管。

13.如權(quán)利要求9的發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含一基板，該基板位于該晶體管與該電容下方。

14.如權(quán)利要求9的發(fā)光裝置，其中該接觸介電質(zhì)包含二氧化硅。

15.一種發(fā)光裝置，其包含：

一晶體管，其位于一基板上方，其中該基板包含至少二個(gè)聚合物層；

一電容，其位于該基板上方并耦接至該晶體管，該電容包含一第一電極、位于該第一電極上方的一第二電極，以及位于該第一電極與該第二電極之間的一介電質(zhì)；以及

一接觸介電質(zhì)，其分隔該晶體管與該電容，該接觸介電質(zhì)完全圍繞該晶體管與該電容，其中該接觸介電質(zhì)是無(wú)氮的。

16.如權(quán)利要求15的發(fā)光裝置，其中該二個(gè)聚合物層的一者具有介于約1μm至約5μm的一厚度。

17.如權(quán)利要求15的發(fā)光裝置，其中該二個(gè)聚合物層的一者的一黏度低于該二個(gè)聚合層的另一者。

18.如權(quán)利要求15的發(fā)光裝置，其中該基板進(jìn)一步包含一層，該層位于該二個(gè)聚合物層之間，且該層包含一無(wú)機(jī)層。

19.如權(quán)利要求18的發(fā)光裝置，其中該層是一多層結(jié)構(gòu)。

20.如權(quán)利要求18的發(fā)光裝置，其中該層包含氧化硅，或氮化硅，或氧化鋁。