[發明專利]一種SIW平面濾波器在審
| 申請號: | 201811022672.7 | 申請日: | 2018-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN108987860A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 張丹;丁振東;宗楚菁;徐晨月 | 申請(專利權)人: | 南京林業大學 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20;H01P1/203 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 王清義 |
| 地址: | 210037 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 頂層金屬 引出線 微帶 平面濾波器 間隙凹槽 介質板 金屬箔 右端口 左端口 信號傳輸損耗 垂直中心線 水平中心線 插入損耗 傳輸性能 回波損耗 體積小 右側邊 重量輕 左側邊 偏移 貫穿 | ||
本發明公開了一種SIW平面濾波器,包括頂層金屬箔、介質板和底部金屬箔,頂層金屬箔的左側邊設有左端口微帶引出線,右側邊設有右端口微帶引出線且左端口微帶引出線和右端口微帶引出線相對水平中心線發生偏移,頂層金屬箔的四周設置有若干個第一金屬過孔,頂層金屬箔中心左側設有左金屬過孔且右側設有右金屬過孔,頂層金屬箔的垂直中心線上設有多個中金屬過孔,頂層金屬箔的表面設有左間隙凹槽、右間隙凹槽、左上金屬過孔和右上金屬過孔,第一金屬過孔、左金屬過孔、右金屬過孔、中金屬過孔、左上金屬過孔以及右上金屬過孔均貫穿于介質板和底部金屬箔。本發明體積小,重量輕,信號傳輸損耗小,插入損耗低,回波損耗高,提升了傳輸性能。
技術領域
本發明屬于無線通信技術領域,具體涉及一種SIW平面濾波器。
背景技術
年來,在無線通信技術的高速發展下,涉及微波通信系統的項目越來越多,濾波器是現代微波中繼通信、微波衛星通信、電子對抗等系統必不可少的組成部分,同時也是最為重要、技術含量最高的微波無源器件。隨著現代電子科技的發展,可利用的頻譜資源日益緊張,因此對濾波器頻率選擇特性的要求越來越高。為了提高濾波器的傳輸性能,要求濾波器具有低插入損耗和高回波損耗,更為重要的是,為了滿足現代通信終端的小型化趨勢,要求濾波器要有更小的體積與重量,有時濾波器大小甚至比性能更加重要。傳統濾波器的插入損耗比較大,回波損耗較小,導致傳輸性比較差,且傳統的矩形波導體積大,重量大。因此目前急需一種小型化與傳輸性能高的濾波器來解決上述技術問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術的不足提供一種SIW平面濾波器,本SIW平面濾波器結構簡單,體積小,重量輕,成本低,信號傳輸損耗小,插入損耗低,回波損耗高,提升了濾波器傳輸性能。
為實現上述技術目的,本發明采取的技術方案為:
一種SIW平面濾波器,包括頂層金屬箔、介質板和底部金屬箔,所述頂層金屬箔、介質板和底部金屬箔從上之下緊密貼合,所述頂層金屬箔的左側邊設有左端口微帶引出線,右側邊設有右端口微帶引出線且左端口微帶引出線和右端口微帶引出線相對頂層金屬箔的水平中心線發生偏移,頂層金屬箔的左側邊開設有第一槽線和第二槽線且左端口微帶引出線位于第一槽線和第二槽線中間,頂層金屬箔的右側邊開設有第三槽線和第四槽線且右端口微帶引出線位于第三槽線和第四槽線中間,所述頂層金屬箔的四周設置有若干個第一金屬過孔且第一金屬過孔位于左端口微帶引出線和右端口微帶引出線的上下兩側,所述頂層金屬箔中心的左側開設有左金屬過孔且中心的右側開設有右金屬過孔,所述左金屬過孔和右金屬過孔均位于頂層金屬箔的水平中心線上,所述頂層金屬箔的垂直中心線上的中部設有多個中金屬過孔,所述頂層金屬箔的表面開設有左間隙凹槽和右間隙凹槽,左間隙凹槽位于左金屬過孔和第一槽線之間,右間隙凹槽位于右金屬過孔和第三槽線之間,所述頂層金屬箔的表面開設有左上金屬過孔和右上金屬過孔,左上金屬過孔位于第一槽線的上方且位于左間隙凹槽的左側,右上金屬過孔位于第三槽線的上方且位于右間隙凹槽的右側,所述第一金屬過孔、左金屬過孔、右金屬過孔、中金屬過孔、左上金屬過孔以及右上金屬過孔均貫穿于頂層金屬箔、介質板和底部金屬箔。
作為本發明進一步改進的技術方案,所述左端口微帶引出線和右端口微帶引出線相對頂層金屬箔的垂直中心線對稱布置,所述左金屬過孔和右金屬過孔相對頂層金屬箔的垂直中心線對稱布置,所述左間隙凹槽和右間隙凹槽相對頂層金屬箔的垂直中心線對稱布置,所述左上金屬過孔和右上金屬過孔相對頂層金屬箔的垂直中心線對稱布置。
作為本發明進一步改進的技術方案,所述第一槽線、第二槽線、第三槽線和第四槽線的結構相同且均為L型,所述第一槽線和第二槽線相對水平方向對稱布置,所述第三槽線和第四槽線相對水平方向對稱布置。
作為本發明進一步改進的技術方案,所述左端口微帶引出線和右端口微帶引出線均連接有SMA接頭。
作為本發明進一步改進的技術方案,所述左端口微帶引出線和右端口微帶引出線為50歐姆的SIW特性阻抗匹配微帶線。
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