[發明專利]流體控制組件及其使用方法

有效

• 申請號: 201811021011.2
• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN110873191B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 謝文杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: F16K1/22
• 分類號: F16K1/22;F16K1/42;F16K27/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李玉鎖;章侃銥

本申請部分實施例提供一種流體控制元件。流體控制元件包括一第一固定座及一第二固定座。流體控制元件還包括一閥座。閥座設置于第一固定座與第二固定座之間。流體控制元件也包括一閥體。閥體設置于閥座內并配置用以改變通過閥座的氣體的流量。第一固定座包括一橫向限位件。橫向限位件與閥座沿一橫軸方向排列且抵靠閥座。另外，閥座可移動于垂直橫軸方向的一縱軸方向，且橫向限位件限制閥座在橫軸方向上的位移。

技術領域

本發明實施例涉及一種流體控制元件及其使用方法。

背景技術

半導體裝置被用于多種電子應用，例如個人電腦、移動電話、數字相機以及其他電子設備。半導體裝置的制造通常是通過在半導體基板上按序沉積絕緣或介電層材料、導電層材料以及半導體層材料，并通過包括光刻(lithography)制程及微影制程等程序將各種材料層圖案化，以形成電路組件和零件于此半導體基板之上。通常數十個或數百個集成電路是在一個半導體晶圓上進行制造。

在集成電路制程中，隨著對產量及良率與日漸增的需求，而發展出高度專業化與自動化的系統來傳遞晶圓。晶圓通常儲存在卡匣(Cassette)內，且根據不同制程，例如濺鍍(Sputtering)制程、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)制程、微影(Photolithography)制程、或蝕刻制程、化學電鍍(ECP)制程、化學機械研磨(CMP)制程等，需不同反應室或反應槽。上述部分反應室或反應槽內，在晶圓進行加工時，需要過流體控制元件供應或是排除在反應室或反應槽內的氣體。。

雖然現有的流體控制元件已經足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，需要提供一種改善流體控制元件的方案。

發明內容

本發明部分實施例提供一種流體控制元件。流體控制元件包括一第一固定座及一第二固定座。流體控制元件還包括一閥座。閥座設置于第一固定座與第二固定座之間。流體控制元件也包括一閥體。閥體設置于閥座內并配置用以改變通過閥座的氣體的流量。第一固定座包括一橫向限位件。橫向限位件與閥座沿一橫軸方向排列且抵靠閥座。另外，閥座可移動于垂直橫軸方向的一縱軸方向，且橫向限位件限制閥座在橫軸方向上的位移。

本發明部分實施例提供一種使用流體控制元件的方法。上述方法包括固定一第一固定座于一上游氣體管道。上述方法還包括固定一第二固定座于一下游氣體管道。上述方法也包括移動一閥座進入位于第一固定座與第二固定座之間的一固定位置。第一固定座包括一橫向限位件。橫向限位件與閥座沿一橫軸方向排列且抵靠閥座。在閥座移動進入位于第一固定座與第二固定座之間的固定位置的過程中，橫向限位件限制閥座在橫軸方向上的位移。

附圖說明

圖1顯示根據本發明部分實施例的加工系統的示意圖。

圖2顯示根據本發明部分實施例的加工系統的部分的示意圖。

圖3顯示根據本發明部分實施例的流體控制組件的部分的爆炸圖。

圖4顯示根據本發明部分實施例的流體控制組件的部分的上視圖。

圖5顯示根據本發明部分實施例的流體控制組件的部分在圖8中A-A截線的剖面圖。

圖6顯示根據本發明部分實施例的流體控制組件的使用方法的流程圖。

圖7顯示根據本發明部分實施例的流體控制組件的使用方法中的一步驟的示意圖。

圖8顯示根據本發明部分實施例的流體控制組件的使用方法中的一步驟的示意圖。

附圖標記說明：

1 加工系統

10 晶圓

20 托架

40 樓地板

50a、50b、50c