[發(fā)明專利]一種LED倒裝芯片的封裝工藝

有效

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• 申請日: 2018-09-03
• 公開（公告）號: CN109244218B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設計）人: 張萬功;尹梓偉;李國強;張曙光;劉智崑;王文樑;郭康賢
• 申請（專利權）人: 東莞中之光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/52;H01L33/60
• 代理公司: 廣東莞信律師事務所 44332
• 代理人: 曾秋梅

1.一種LED倒裝芯片的封裝工藝，其特征在于：包括如下步驟：

(1)在LED倒裝芯片的N電極和P電極分別設置用于倒裝焊鍵合的金屬凸點；

(2)提供一芯片基板，在芯片基板上設置分別用于連接外部電路的正、負電極的金屬凸臺；

(3)將N電極上的金屬凸點及N電極上的金屬凸點分別與基板上對應的金屬凸臺對應進行共晶連接；

(4)用熒光膠將芯片基板上的LED倒裝芯片包覆，固化，得到封裝好的LED倒裝芯片；

所述步驟(4)中，固化采用三級固化，一級固化：固化溫度為140-160℃，4-6min；二級固化：固化溫度為120-140℃，1-3h；三級固化100-120℃，40-60min；

所述步驟(4)中，熒光膠由75-85重量份的硅膠、15-25重量份的熒光粉、0.5-1.5重量份的擴散劑和0.8-1.2重量份的偶聯(lián)劑組成；

所述熒光粉是由(BaCaMg)₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺熒光粉、CeMgAl₁₁O₁₉:Ce³⁺,Tb³⁺熒光粉和(SrMg)₃(PO₄)₂:Sn熒光粉以重量比2-4:1-2:1組成的混合物；

所述擴散劑為鈣鈦礦量子點、納米二氧化硅和納米硫酸鋇以重量比2-4：0.5-1.5：1組成的混合物；

所述偶聯(lián)劑是由乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷和乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷以重量比0.8-1.2：1.4-2.2：1組成的混合物；

所述步驟(1)中，LED倒裝芯片的制造方法包括如下步驟：

A、提供襯底，所述襯底為藍寶石襯底，在所述襯底上依次形成N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層；

B、在所述襯底表面上形成歐姆接觸層，并進行圖案化，暴露出所述P型氮化鎵層；

C、在所述歐姆接觸層上形成反射鏡介質層，并進行圖案化，暴露出所述P型氮化鎵層和部分歐姆接觸層；

D、形成反射鏡金屬層，所述反射鏡金屬層覆蓋所述反射鏡介質層和暴露出的歐姆接觸層；

E、刻蝕暴露出的P型氮化鎵層、量子阱層形成N電極接觸孔；

F、形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述反射鏡金屬層及N電極接觸孔的側壁，所述隔離層暴露出覆蓋所述歐姆接觸層的反射鏡金屬層；

G、在所述N電極接觸孔中形成N電極，在覆蓋暴露出的歐姆接觸層的反射鏡金屬層上形成P電極；

H、對所述藍寶石襯底背面進行減薄，并在所述藍寶石襯底背面形成粗糙氧化鋁層；

所述步驟D中，反射鏡金屬層是采用等離子體增強化學氣相沉積工藝形成的；所述反射鏡金屬層的材質為Ni/Ag/Ti/Pt/Au/W的組合，其質量比為(4-8)：(0.5-1.5)：(2-6)：(0.02-0.06)：(0.04-0.08)：1；

所述N電極的材質為Cr/Al/Ti/Pt/Au/Sn/Ag的組合，其質量比為(3-5)：(2-4)：1：(0.01-0.05)：(0.08-0.12)：(0.8-1.2)；所述P電極的材質為Ni/Au/Cr/Pt/Au/Sn/W的組合，其質量比為(2-4)：(0.04-0.08)：(1-3)：(0.03-0.07)：(0.05-0.09)：1。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種LED倒裝芯片的封裝工藝，其特征在于：所述步驟C中，反射鏡介質層是采用離子束輔助沉積鍍膜工藝形成的；所述反射鏡介質層由交替層疊的二氧化硅薄膜和二氧化鈦薄膜構成。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種LED倒裝芯片的封裝工藝，其特征在于：所述步驟E中，N電極接觸孔是采用干法刻蝕工藝形成的；所述步驟G中，N電極是采用電子束蒸鍍或磁控濺射在所述N電極接觸孔中沉積填充金屬層形成的。