[發明專利]單晶硅同心圓及黑角的檢測前預處理方法有效
| 申請號： | 201811020607.0 | 申請日： | 2018-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN109273377B | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發明（設計）人： | 張浩強;楊紅濤;柳志強;楊建勇;焦鵬;李雙凱;李春輝 | 申請（專利權）人： | 寧晉晶興電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 054000 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 同心圓 檢測 預處理 方法 | ||
1.單晶硅同心圓的檢測前預處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、切取任一單晶硅頭部圓形的樣塊；
S2、將S1中獲取的單晶硅頭部樣塊用金剛筆刻制出1/4圓以上的樣片；
S3、將S2中獲取的樣片退火處理，退火處理溫度為600-1000℃，且恒溫1-2.5h；
S4、將S3中退火處理后的樣片經過堿性溶液煮制，堿性溶液質量百分比濃度為20-25％的氫氧化鈉溶液，煮制溫度80-100℃，煮制時間為10-40min；
S5、然后將S4中煮制后的樣片浸泡到酸液中，酸溶液體積百分比濃度為2-3％的氫氟酸，浸泡時間10-12min；
S6、將S5浸泡酸液后的樣片經純水沖洗、晾干；
S7、將S6中晾干的樣片進行樣片少子壽命測試。
2.根據權利要求1所述的單晶硅同心圓的檢測前預處理方法，其特征在于，S1中切取單晶硅頭部圓形的樣塊直徑為210-216mm，厚度為0.8-1.5mm。
3.單晶硅黑角的檢測前預處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
A1、切取任一單晶硅尾部圓形樣塊；
A2、將A1中獲取的單晶硅頭部樣塊用金剛筆刻制出1/3圓以上的樣片；
A3、將A2中獲取的樣片酸性溶液腐蝕；酸性溶液為氫氟酸、硝酸與水按照重量比為1:3:9配置的酸液；
A4、將A3中酸性溶液腐蝕后的樣片清洗酸液殘留；
A5、將A4中清洗酸液殘留的樣片退火處理；退火處理中，退火溫度為700-950℃，恒溫時間為1-3h；
A6、將A5中退火處理的樣片自然風干后，使用堿性溶液煮制；堿性溶液質量百分比濃度為20-25％氫氧化鈉溶液，煮制溫度80-100℃，煮制時間10-40min；
A7、將A6中煮制處理后的樣片進行少子壽命測試。
4.根據權利要求3所述的單晶硅黑角的檢測前預處理方法，其特征在于，A1中切取單晶硅尾部圓形的樣塊直徑為210-216mm，厚度為0.8-1.5mm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
