[發明專利]電可編程熔絲結構及其形成方法在審
| 申請號： | 201811020067.6 | 申請日： | 2018-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN109244061A | 公開（公告）日： | 2019-01-18 |
| 發明（設計）人： | 高超 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張振軍;吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電可編程熔絲 多晶硅結構 陽極部 陰極部 襯底 耦接 半導體 摻雜 金屬硅化物 電源陽極 電源陰極 有效減少 漏電流 編程 讀出 運算 | ||
1.一種電可編程熔絲結構，其特征在于，包括：
半導體襯底；
多晶硅結構，位于所述半導體襯底上，所述多晶硅結構包括用于與電源陽極耦接的陽極部、用于與電源陰極耦接的陰極部以及連接所述陽極部和陰極部的連接部；
金屬硅化物，位于所述多晶硅結構的表面；
其中，所述陽極部摻雜有N型離子，所述陰極部摻雜有P型離子。
2.根據權利要求1所述的電可編程熔絲結構，其特征在于，還包括：
介質層，覆蓋所述金屬硅化物；
導電插塞，位于所述介質層內且穿通所述介質層，并與所述金屬硅化物電連接。
3.根據權利要求1所述的電可編程熔絲結構，其特征在于，還包括：
襯底介質層，所述襯底介質層位于所述半導體襯底的表面，且所述多晶硅結構位于所述襯底介質層的表面。
4.根據權利要求3所述的電可編程熔絲結構，其特征在于，所述襯底介質層為氧化物層、氮化物層或者氧化物和氮化物的堆疊層。
5.根據權利要求1所述的電可編程熔絲結構，其特征在于，
所述N型離子選自磷離子、砷離子以及銻離子；
所述P型離子選自硼離子、鎵離子以及銦離子。
6.一種電可編程熔絲結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
形成多晶硅結構，所述多晶硅結構位于所述半導體襯底上，所述多晶硅結構包括用于與電源陽極耦接的陽極部、用于與電源陰極耦接的陰極部以及連接所述陽極部和陰極部的連接部；
向所述陽極部進行N型離子注入；
向所述陰極部進行P型離子注入；
在所述多晶硅結構的表面，形成金屬硅化物。
7.根據權利要求6所述的電可編程熔絲結構的形成方法，其特征在于，還包括：
形成介質層，所述介質層覆蓋所述金屬硅化物；
在所述介質層內形成導電插塞，所述導電插塞穿通所述介質層，并與所述金屬硅化物電連接。
8.根據權利要求6所述的電可編程熔絲結構的形成方法，其特征在于，在所述形成多晶硅結構之前，還包括：
在所述半導體襯底的表面形成襯底介質層，且所述多晶硅結構位于所述襯底介質層的表面。
9.根據權利要求8所述的電可編程熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述襯底介質層為氧化物層、氮化物層或者氧化物和氮化物的堆疊層。
10.根據權利要求6所述的電可編程熔絲結構的形成方法，其特征在于，
所述N型離子選自磷離子、砷離子以及銻離子；
所述P型離子選自硼離子、鎵離子以及銦離子。
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