[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811015658.4
• 申請(qǐng)日: 2018-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109087901A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/488
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/488;H01L25/065;H01L21/60
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開(kāi)提供一種存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法，該制造方法包括：提供第一芯片和多個(gè)第二芯片，第一芯片具有第一焊盤(pán)，每個(gè)第二芯片具有第二焊盤(pán)，各第二焊盤(pán)均設(shè)有穿孔；將各第二芯片堆疊設(shè)置于第一芯片，各第二焊盤(pán)與第一焊盤(pán)正對(duì)設(shè)置；任意相鄰的兩第二芯片中，靠近第一芯片的穿孔不大于遠(yuǎn)離第一芯片的穿孔；形成穿過(guò)各穿孔的連接孔，連接孔露出第一焊盤(pán)，且連接孔包括多個(gè)孔段，各孔段一一對(duì)應(yīng)的位于各第二芯片內(nèi)，孔段與其所在的第二芯片的第二焊盤(pán)的穿孔的大小相同；在連接孔內(nèi)形成導(dǎo)電體，第一焊盤(pán)和各第二焊盤(pán)均與導(dǎo)電體連接。本公開(kāi)的制造方法可簡(jiǎn)化工藝，降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，芯片堆疊技術(shù)已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于各類(lèi)存儲(chǔ)器，例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等。目前，對(duì)于堆疊設(shè)置的多個(gè)芯片而言，需要通過(guò)TSV(Through Silicon Vias，硅穿孔)以最短的路徑將各個(gè)芯片連接，具體而言，在現(xiàn)有技術(shù)中，通常需要先在各個(gè)芯片上形成硅通道，并在硅通道內(nèi)形成導(dǎo)電件，再將各個(gè)芯片堆疊設(shè)置，使各個(gè)硅通道內(nèi)的導(dǎo)電件連接，從而將各個(gè)芯片連接起來(lái)。

但是，對(duì)每個(gè)芯片都進(jìn)行TSV工藝，會(huì)使得整個(gè)制造過(guò)程耗時(shí)較長(zhǎng)，工序較多，且成本較高。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于提供一種存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法，可簡(jiǎn)化工藝，降低成本。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供第一芯片和多個(gè)第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盤(pán)，每個(gè)所述第二芯片均具有第二焊盤(pán)，各所述第二焊盤(pán)均設(shè)有穿孔；

將各所述第二芯片堆疊設(shè)置于所述第一芯片，且各所述第二焊盤(pán)與所述第一焊盤(pán)正對(duì)設(shè)置；任意相鄰的兩所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于遠(yuǎn)離所述第一芯片的穿孔；

形成穿過(guò)正對(duì)于所述第一焊盤(pán)的各所述穿孔的連接孔，所述連接孔露出所述第一焊盤(pán)，且所述連接孔包括多個(gè)孔段，各所述孔段一一對(duì)應(yīng)的位于各所述第二芯片內(nèi)，所述孔段與其所在的第二芯片的第二焊盤(pán)的穿孔的大小相同；

在所述連接孔內(nèi)形成導(dǎo)電體，所述第一焊盤(pán)和各所述第二焊盤(pán)均與所述導(dǎo)電體連接。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述連接孔通過(guò)一次開(kāi)孔工藝形成。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，形成穿過(guò)各所述第二焊盤(pán)的連接孔包括：

在距離所述第一芯片最遠(yuǎn)的一所述第二芯片上覆蓋光刻膠層；

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光并顯影，露出所述光刻膠層覆蓋的第二芯片的第二焊盤(pán)的穿孔；

在所述光刻膠層露出的穿孔內(nèi)向所述第一焊盤(pán)刻蝕，直至露出所述第一焊盤(pán)；

剝離所述光刻膠層。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，分屬不同第二焊盤(pán)的所述穿孔的大小不同，在所述連接孔內(nèi)形成導(dǎo)電體包括：

在所述連接孔內(nèi)壁形成隔離層，所述隔離層露出所述第一焊盤(pán)和所述第二焊盤(pán)遠(yuǎn)離所述第一芯片的表面；

在所述隔離層內(nèi)形成所述導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體與各所述第二焊盤(pán)未被所述隔離層覆蓋的區(qū)域連接。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，在所述連接孔內(nèi)壁形成隔離層包括：