[發明專利]存儲裝置、半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811015658.4
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109087901A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L25/065;H01L21/60
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一芯片和多個第二芯片，所述第一芯片具有第一焊盤，每個所述第二芯片均具有第二焊盤，各所述第二焊盤均設有穿孔；

將各所述第二芯片堆疊設置于所述第一芯片，且各所述第二焊盤與所述第一焊盤正對設置；任意相鄰的兩所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于遠離所述第一芯片的穿孔；

形成穿過正對于所述第一焊盤的各所述穿孔的連接孔，所述連接孔露出所述第一焊盤，且所述連接孔包括多個孔段，各所述孔段一一對應的位于各所述第二芯片內，所述孔段與其所在的第二芯片的第二焊盤的穿孔的大小相同；

在所述連接孔內形成導電體，所述第一焊盤和各所述第二焊盤均與所述導電體連接。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述連接孔通過一次開孔工藝形成。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成穿過各所述第二焊盤的連接孔包括：

在距離所述第一芯片最遠的一所述第二芯片上覆蓋光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光并顯影，露出所述光刻膠層覆蓋的第二芯片的第二焊盤的穿孔；

在所述光刻膠層露出的穿孔內向所述第一焊盤刻蝕，直至露出所述第一焊盤；

剝離所述光刻膠層。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，分屬不同第二焊盤的所述穿孔的大小不同，在所述連接孔內形成導電體包括：

在所述連接孔內壁形成隔離層，所述隔離層露出所述第一焊盤和所述第二焊盤遠離所述第一芯片的表面；

在所述隔離層內形成所述導電體，所述導電體與各所述第二焊盤未被所述隔離層覆蓋的區域連接。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述連接孔內壁形成隔離層包括：

在所述連接孔內形成隔離材料層，所述隔離材料層覆蓋所述第一焊盤和所述第二焊盤位于連接孔內的區域；

去除所述第一焊盤上的隔離材料層，以及所述第二焊盤遠離所述第一芯片的表面上的隔離材料層。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述隔離層內形成所述導電體包括：

在距離所述第一芯片最遠的第二芯片上覆蓋導電層，所述導電層填充所述連接孔；

去除所述導電層位于所述連接孔以外的區域。

7.根據權利要求1-6任一項所述的制造方法，其特征在于，正對于所述第一焊盤的各所述穿孔的中心與所述第一焊盤的中心共線設置。

8.根據權利要求1-6任一項所述的制造方法，其特征在于，所述第一焊盤和所述第二焊盤的材料為金屬。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一焊盤的材料為銅、鋁和鎢中任一種，所述第二焊盤的材料為銅、鋁和鎢中任一種。

10.根據權利要求1-6任一項所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片包括：

第一襯底；

第一絕緣層，設于所述第一襯底，所述第一焊盤嵌設于所述第一絕緣層遠離所述第一襯底的表面；

所述第二芯片包括：

第二襯底；

第二絕緣層，設于所述第二襯底遠離所述第一芯片的一側，所述第二焊盤嵌設于所述第二絕緣層遠離所述第二襯底的表面；

距離所述第一芯片最近的第二芯片的第二襯底設于所述第一絕緣層遠離所述第一襯底的表面，各所述第二芯片的第二襯底和第二絕緣層交替層疊設置。