[發(fā)明專(zhuān)利]硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的撓性件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811013310.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109427356B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山田幸惠;上田哲也 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 日本發(fā)條株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11B5/60 | 分類(lèi)號(hào): | G11B5/60 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 董科 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 撓性件 | ||
1.一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的撓性件(15),其特征在于,包括:
一金屬基部(30),包括一舌部(32),一滑動(dòng)件(12)安裝在所述舌部上;
一致動(dòng)器(20),使所述滑動(dòng)件(12)運(yùn)動(dòng);
一電路構(gòu)件(40),其沿著所述金屬基部(30)布置;以及
一粘合劑(26),其將所述致動(dòng)器(20)的端部(22)固定到所述舌部(32),
其中所述電路構(gòu)件(40)包括:
一基底絕緣層(41),其在所述舌部(32)的所述金屬基部(30)上形成;
一導(dǎo)體層(42),其在所述基底絕緣層(41)上形成;
一覆蓋絕緣層(43),覆蓋所述導(dǎo)體層(42);還包括第一覆蓋層(45)和在所述第一覆蓋層(45)上形成的第二覆蓋層(47);
一焊盤(pán)(52),所述致動(dòng)器(20)的所述端部(22)設(shè)置在所述焊盤(pán)上,且所述粘合劑涂覆到所述焊盤(pán);
一待保護(hù)部分,避免將所述粘合劑(26)粘附到所述待保護(hù)部分;以及
一壁部分(60),其在所述焊盤(pán)(52)和所述待保護(hù)部分之間形成,所述壁部分(60)包括所述第二覆蓋層(47)的至少一部分;所述壁部分(60)距所述金屬基部(30)的表面(30a)的高度(H2)大于所述焊盤(pán)(52)的高度(H1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,所述待保護(hù)部分是一基準(zhǔn)孔(53),所述基準(zhǔn)孔用于定位所述滑動(dòng)件(12)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,所述待保護(hù)部分是電連接到所述滑動(dòng)件(12)的連接端子(54)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,
所述撓性件(15)包括一儲(chǔ)存區(qū)域(61),其在所述焊盤(pán)(52)和所述壁部分(60)之間形成;且
所述壁部分(61)由凹槽構(gòu)成,其中在所述儲(chǔ)存區(qū)域(61)中形成的所述基底絕緣層(41)的一部分的高度(H3A)小于在所述壁部分(60)中形成的所述基底絕緣層(41)的高度(H3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,所述撓性件(15)包括由凹槽構(gòu)成的儲(chǔ)存區(qū)域(61),而沒(méi)有在所述焊盤(pán)(52)和所述壁部分(60)之間形成所述基底絕緣層(41)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,在所述焊盤(pán)(52)中形成的所述基底絕緣層(41)距所述金屬基部(30)的高度(H1B)小于在所述壁部分(60)中形成的所述基底絕緣層(41)的高度(H3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,所述電路構(gòu)件(40)還包括一儲(chǔ)存區(qū)域(61)和一環(huán)繞部分(62),所述儲(chǔ)存區(qū)域(61)在所述焊盤(pán)(52)和所述壁部分(60)之間形成,所述環(huán)繞部分(62)則在至少面向所述舌部(32)的外邊緣的所述儲(chǔ)存區(qū)域(61)的一部分處形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的撓性件(15),其特征在于,
所述電路構(gòu)件(40)包括一雙層導(dǎo)電電路部分(40A);
雙層導(dǎo)電電路部分(40A)包括形成在所述基底絕緣層(41)上的第一導(dǎo)體(44),用于覆蓋所述第一導(dǎo)體(44)的所述雙層導(dǎo)電電路部分(40A)的第一覆蓋層(45a),在所述第一覆蓋層(45a)上形成用于所述雙層導(dǎo)電電路部分(40A)的第二導(dǎo)體(46),和用于覆蓋所述第二導(dǎo)體(46)的所述雙層導(dǎo)電電路部分(40A)的第二覆蓋層(47a);以及
所述壁部分(60)包括用于所述壁部分(60)的第一覆蓋層(45),其由聚酰亞胺制成,所述聚酰亞胺具有與所述雙層導(dǎo)電電路部分(40A)的第一覆蓋層(45a)相同的化學(xué)組成,和用于所述壁部分(60)的第二覆蓋層(47),其在所述壁部分(60)的所述第一覆蓋層(45)上形成,并且由聚酰亞胺制成,所述聚酰亞胺具有與所述雙層導(dǎo)電電路部分(40A)的第二覆蓋層(47a)相同的化學(xué)組成。
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