[發(fā)明專(zhuān)利]掩膜版、顯示基板及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811010166.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109212890B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖宇;李景陽(yáng);張國(guó)華;汪棟;宋勇志 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/38 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/38;G02F1/13;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 顯示 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明提供一種掩膜版、顯示基板及其制作方法,該掩膜版包括:透明襯底以及設(shè)置于所述透明襯底上的遮光層,所述遮光層上具有第一開(kāi)口圖形;所述透明襯底包括:第一區(qū)域,所述第一區(qū)域在所述遮光層上的正投影與所述第一開(kāi)口圖形重疊,所述第一區(qū)域的至少部分邊緣區(qū)域具有光線(xiàn)匯聚結(jié)構(gòu),所述光線(xiàn)匯聚結(jié)構(gòu)用于將入射至所述至少部分邊緣區(qū)域的光線(xiàn)向所述第一開(kāi)口圖形的中心區(qū)域匯聚。本發(fā)明中,通過(guò)在掩膜版的開(kāi)口的邊緣區(qū)域設(shè)置光線(xiàn)匯聚結(jié)構(gòu),可以將入射至開(kāi)口的邊緣區(qū)域的光線(xiàn)向開(kāi)口的中心區(qū)域匯聚,補(bǔ)償中心區(qū)域欠缺的光強(qiáng)度,避免形成火山口形貌的膜層圖形。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種掩膜版、顯示基板及其制作方法。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)以其具有高畫(huà)質(zhì)、高空間利用率、低消耗功率、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)成為市場(chǎng)的主流。在液晶顯示面板中,彩膜基板和陣列基板相對(duì)設(shè)置形成液晶盒,為保證液晶盒的盒厚的均一性,隔墊物(Photo Spacer,PS)起到重要的作用。
目前使用半透膜掩膜板(Half-tone Mask)制作隔墊物時(shí),Half-Tone Mask開(kāi)口處的光透過(guò)率為確定的數(shù)值。當(dāng)曝光間隙(Gap)一定時(shí)(圖1中g(shù)ap=200μm),透過(guò)不同Half-Tone Mask開(kāi)口的光強(qiáng)度分布如圖1所示。當(dāng)Half-Tone Mask開(kāi)口大小為30μm或35μm時(shí),入射光靠近開(kāi)口兩端處的光強(qiáng)度最弱,在開(kāi)口兩端向中間位置過(guò)渡過(guò)程中,光強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),但是,從圖1可以看出,透過(guò)其開(kāi)口中心區(qū)域的光強(qiáng)度反而會(huì)比相鄰區(qū)域弱,此特殊的光強(qiáng)度分布會(huì)使得隔墊物呈現(xiàn)火山口形貌,且Mask CD越大,隔墊物火山口越嚴(yán)重。
圖2-4為實(shí)際不同Half-Tone Mask開(kāi)口下形成的隔墊物形貌。從圖2-4可以看出,Half-Tone Mask開(kāi)口為25μm時(shí),隔墊物形貌正常;開(kāi)口增大至30μm和35μm時(shí),隔墊物形貌出現(xiàn)火山口形貌,且開(kāi)口越大,形貌越差。
由于火山口形貌的隔墊物在支撐作用上會(huì)大打折扣,會(huì)造成Touch Mura等力學(xué)不良,影響產(chǎn)品品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種掩膜版、顯示基板及其制作方法,用于解決利用目前的掩膜版形成的膜層圖形容易出現(xiàn)火山口形貌的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種掩膜版,包括:
透明襯底,以及,設(shè)置于所述透明襯底上的遮光層,所述遮光層上具有第一開(kāi)口圖形;
所述透明襯底包括:第一區(qū)域,所述第一區(qū)域在所述遮光層上的正投影與所述第一開(kāi)口圖形重疊,所述第一區(qū)域的至少部分邊緣區(qū)域具有光線(xiàn)匯聚結(jié)構(gòu),所述光線(xiàn)匯聚結(jié)構(gòu)用于將入射至所述至少部分邊緣區(qū)域的光線(xiàn)向所述第一開(kāi)口圖形的中心區(qū)域匯聚。
可選的,所述第一開(kāi)口圖形的橫截面形狀為矩形或圓形,所述第一開(kāi)口圖形的中心區(qū)域的寬度為所述第一開(kāi)口圖形的寬度的2/5~4/5。
可選的,所述光線(xiàn)匯聚結(jié)構(gòu)為開(kāi)設(shè)于所述第一區(qū)域的頂面的凹槽,所述頂面為所述第一區(qū)域的遠(yuǎn)離所述第一開(kāi)口圖形的一側(cè)表面。
可選的,所述第一區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)方體或圓柱體,所述凹槽的縱截面形狀為直角三角形,所述直角三角形的第一直角邊位于所述第一區(qū)域的頂面上,第二直角邊垂直于所述第一區(qū)域的頂面。
可選的,所述第二直角邊位于所述長(zhǎng)方體或圓柱體的側(cè)面上。
可選的,采用如下公式確定所述直角三角形的尺寸:
Tanα=y(tǒng)/x;
Sinα/Sinβ=n;
Tan(α-β)=L1/(h-y);
Tan(α-β)=(L1+L2-x)/h;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線(xiàn)掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





