[發(fā)明專利]成膜裝置、成膜方法、以及電子設(shè)備的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811009947.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109972084B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柏倉(cāng)一史;石井博;細(xì)谷映之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能特機(jī)株式會(huì)社;阿奧依株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/50;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 張寶榮 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 以及 電子設(shè)備 制造 | ||
1.一種成膜裝置,用于經(jīng)由掩模在基板上成膜蒸鍍材料,其中,包括:
靜電卡盤,其用于保持基板;
掩模臺(tái),其設(shè)置在所述靜電卡盤的基板保持面?zhèn)龋糜诒3盅谀#?/p>
磁力施加機(jī)構(gòu),其設(shè)置在所述靜電卡盤的與基板保持面相反的一側(cè),用于對(duì)所述掩模施加磁力;以及
控制部,其控制所述靜電卡盤、所述掩模臺(tái)以及所述磁力施加機(jī)構(gòu),
在為了使所述基板與所述掩模緊貼而控制所述磁力施加機(jī)構(gòu)之前,所述控制部控制所述靜電卡盤和所述掩模臺(tái)的至少一方,以使被所述靜電卡盤保持的所述基板與被所述掩模臺(tái)保持的所述掩模具有規(guī)定的間隔,
在使所述基板與所述掩模緊貼時(shí),所述控制部控制所述磁力施加機(jī)構(gòu),使得通過(guò)向所述掩模施加磁力而使所述掩模的一部分與所述基板接觸,之后,所述掩模的與所述基板接觸的部分以所述一部分為起點(diǎn)依次擴(kuò)展。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
所述控制部控制所述靜電卡盤或所述掩模臺(tái)的相對(duì)移動(dòng),以使被所述靜電卡盤保持的所述基板與被所述掩模臺(tái)保持的所述掩模具有所述規(guī)定的間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
所述規(guī)定的間隔基于所述掩模的中央部的撓曲量而確定。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
所述成膜裝置還包括用于使所述靜電卡盤移動(dòng)的靜電卡盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),
所述控制部控制所述靜電卡盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),以使所述靜電卡盤向所述掩模臺(tái)移動(dòng)至被所述靜電卡盤保持的所述基板與被所述掩模臺(tái)保持的所述掩模隔著所述規(guī)定的間隔而分離的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
所述成膜裝置還包括用于使所述掩模臺(tái)移動(dòng)的掩模臺(tái)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),
所述控制部控制所述掩模臺(tái)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),以使所述掩模臺(tái)向所述靜電卡盤移動(dòng)至被所述靜電卡盤保持的所述基板與被所述掩模臺(tái)保持的所述掩模隔著所述規(guī)定的間隔而分離的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
所述成膜裝置還包括用于使所述磁力施加機(jī)構(gòu)移動(dòng)的磁力施加機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),
所述控制部控制所述磁力施加機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),以便在被所述靜電卡盤保持的所述基板與被所述掩模臺(tái)保持的所述掩模具有規(guī)定的間隔的狀態(tài)下使所述磁力施加機(jī)構(gòu)向所述掩模臺(tái)移動(dòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成膜裝置,其中,
所述控制部進(jìn)行控制,以使所述磁力施加機(jī)構(gòu)對(duì)于掩模的磁力從所述掩模的中央部開(kāi)始施加。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置,其中,
所述控制部控制所述磁力施加機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),以使所述磁力施加機(jī)構(gòu)在構(gòu)成V字形狀的狀態(tài)下朝向所述掩模臺(tái)下降。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置,其中,
所述磁力施加機(jī)構(gòu)包括多個(gè)電磁鐵模塊,
所述控制部進(jìn)行控制,以便從配置成與所述掩模的中央部對(duì)應(yīng)的電磁鐵模塊開(kāi)始到配置成與所述掩模的相向的兩條邊對(duì)應(yīng)的電磁鐵模塊地對(duì)電磁鐵模塊依次供給電源。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置,其中,
所述磁力施加機(jī)構(gòu)包括能夠單獨(dú)移動(dòng)的多個(gè)磁鐵模塊,
所述控制部控制所述磁力施加機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),以使所述磁鐵模塊按照從配置成與所述掩模的中央部對(duì)應(yīng)的磁鐵模塊開(kāi)始朝向配置成與所述掩模的相向的兩條邊對(duì)應(yīng)的磁鐵模塊的順序向所述掩模臺(tái)移動(dòng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成膜裝置,其中,
所述控制部進(jìn)行控制,以便從所述掩模的一端開(kāi)始施加所述磁力施加機(jī)構(gòu)對(duì)于所述掩模的磁力。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的成膜裝置,其中,
所述控制部控制所述磁力施加機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),以使所述磁力施加機(jī)構(gòu)以傾斜的狀態(tài)向所述掩模移動(dòng)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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