[發(fā)明專利]集成電路器件及制造其的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811009700.1
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109698186B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設計）人: 樸碩漢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

一種集成電路器件包括：導電線結構，其包括導電線和絕緣蓋圖案；以及包括內間隔物和第一絕緣間隔物的絕緣間隔物，內間隔物和第一絕緣間隔物在導電線結構的側壁上。第一絕緣間隔物包括：狹縫部分；下絕緣部分，其與內間隔物間隔開，使得下絕緣部分的一部分與內間隔物之間的分隔距離隨著離襯底的垂直距離增加而減小；以及接觸內間隔物的上絕緣部分。一種形成絕緣間隔物的方法包括：在內間隔物上形成聚合物層；形成接觸內間隔物和聚合物層中的每個的第一絕緣間隔物層；以及通過部分地去除第一絕緣間隔物層形成第一絕緣間隔物。

技術領域

本發(fā)明構思涉及集成電路器件及制造其的方法，并且更具體地，涉及包括彼此相鄰的多個導電圖案的集成電路器件及制造其的方法。

背景技術

由于電子技術的發(fā)展，近年來半導體器件已經迅速按比例縮小，并且在高度地按比例縮小的半導體器件中多個布線與布置在其間的多個接觸插塞之間的分隔距離已經逐漸減小。因此，彼此相鄰的導電圖案之間的負載電容已經增加，從而不利地影響半導體器件的操作速度和/或刷新特性。

發(fā)明內容

本發(fā)明構思提供具有能夠最小化由于高度集成導致的單位單元中多個導電圖案之間的負載電容的結構的集成電路器件以及制造該集成電路器件的方法。

根據(jù)本發(fā)明構思的一方面，提供了一種集成電路器件，包括：導電線結構，其包括導電線和在導電線上的絕緣蓋圖案，導電線在襯底之上在第一水平方向上延伸；以及絕緣間隔物，其包括內間隔物和在內間隔物上的第一絕緣間隔物，內間隔物接觸導電線結構的側壁，并且第一絕緣間隔物在導電線結構的側壁上，其中第一絕緣間隔物包括：在襯底上在第一水平方向上延伸的狹縫部分；下絕緣部分，其在襯底與狹縫部分之間在第一水平方向上延伸并且與內間隔物間隔開，使得下絕緣部分的一部分與內間隔物之間的分隔距離隨著離襯底的垂直距離增加而減小；以及上絕緣部分，其接觸內間隔物并且與下絕緣部分間隔開，并且狹縫部分在其間。

根據(jù)本發(fā)明構思的另一方面，提供了一種集成電路器件，包括：一對導電線結構，其包括一對導電線和在所述一對導電線上的一對絕緣蓋圖案，所述一對導電線在襯底之上在第一水平方向上延伸；多個接觸結構，其在所述一對導電線結構之間布置成一條線；以及布置在所述一對導電線結構與所述多個接觸結構之間的多個絕緣間隔物，其中所述多個絕緣間隔物中的每個包括：接觸每個導電線結構的側壁的內間隔物；在第一水平方向上延伸的狹縫部分；絕緣袋部分，其在襯底與所述狹縫部分之間在第一水平方向上延伸并且與內間隔物間隔開使得下絕緣部分的一部分與內間隔物之間的分隔距離隨著離襯底的垂直距離增加而減小；以及上絕緣部分，其接觸內間隔物并且與下絕緣部分間隔開，其間具有狹縫部分。

根據(jù)本發(fā)明構思的又一方面，提供了一種制造集成電路器件的方法，該方法包括：在襯底上形成導電線結構，導電線結構包括導電線和在導電線上的絕緣蓋圖案；在導電線結構的側壁上形成內間隔物；在內間隔物上形成聚合物層，聚合物層具有比內間隔物更小的高度，并且在導電線結構的側壁上，其中內間隔物插置在導電線結構與聚合物層之間；在導電線結構的側壁上形成接觸聚合物層和內間隔物中的每個的第一絕緣間隔物層；以及通過部分地去除第一絕緣間隔物層形成第一絕緣間隔物，第一絕緣間隔物具有暴露聚合物層的狹縫部分。

根據(jù)本發(fā)明構思的又一方面，提供了一種集成電路器件，包括：導電線結構，其包括導電線和在導電線上的絕緣蓋圖案，導電線在襯底上在第一方向上延伸；在導電線結構的側壁上的內間隔物；以及在內間隔物上的第一絕緣間隔物。第一絕緣間隔物可以包括：下絕緣部分，其鄰近導電線在第一方向上延伸；以及上絕緣部分，其鄰近絕緣蓋圖案在第一方向上延伸。下絕緣部分可以與上絕緣部分分隔開一間隙，并且下絕緣部分的上部與內間隔物之間的第一距離可以小于下絕緣部分的下部與內間隔物之間的第二距離。