[發明專利]集成電路器件及制造其的方法

有效

• 申請號: 201811009700.1
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109698186B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 樸碩漢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種集成電路器件，包括：

導電線結構，其包括導電線和在所述導電線上的絕緣蓋圖案，所述導電線在襯底之上在第一水平方向上延伸；以及

絕緣間隔物，其包括內間隔物和在所述內間隔物上的第一絕緣間隔物，所述內間隔物接觸所述導電線結構的側壁，并且所述第一絕緣間隔物在所述導電線結構的所述側壁上，

其中所述第一絕緣間隔物包括：

在所述襯底上在所述第一水平方向上延伸的狹縫部分；

下絕緣部分，其在所述襯底與所述狹縫部分之間在所述第一水平方向上延伸并且與所述內間隔物間隔開，使得所述下絕緣部分的一部分與所述內間隔物之間的分隔距離隨著離所述襯底的垂直距離增加而減小；以及

上絕緣部分，其接觸所述內間隔物并且與所述下絕緣部分間隔開，并且所述狹縫部分在其間。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述下絕緣部分鄰近所述導電線延伸，以及

其中所述上絕緣部分鄰近所述絕緣蓋圖案延伸。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述下絕緣部分在鄰近所述導電線的第一水平處在所述下絕緣部分與所述內間隔物之間限定第一絕緣區域，并且在鄰近所述絕緣蓋圖案的第二水平處在所述下絕緣部分與所述內間隔物之間限定第二絕緣區域，所述第一絕緣區域具有第一寬度，并且所述第二絕緣區域具有小于所述第一寬度的第二寬度，以及

其中所述第一絕緣區域與所述第二絕緣區域物理地連接。

4.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中所述絕緣間隔物還包括在所述第一絕緣區域和所述第二絕緣區域內的空氣間隔物。

5.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中所述絕緣間隔物還包括在所述第一絕緣區域和所述第二絕緣區域內的聚合物間隔物。

6.根據權利要求5所述的集成電路器件，其中所述聚合物間隔物包括：

在所述第一絕緣區域和所述第二絕緣區域內的接枝聚合物層，所述接枝聚合物層化學結合到所述內間隔物；以及

在所述第二絕緣區域內的垂直疇層，所述垂直疇層包括自組裝到所述接枝聚合物層上的聚合物嵌段。

7.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中所述下絕緣部分的最上部分與所述內間隔物間隔開，所述最上部分和所述上絕緣部分限定所述狹縫部分。

8.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中所述下絕緣部分的最上部分接觸所述內間隔物，所述最上部分和所述上絕緣部分限定所述狹縫部分。

9.根據權利要求3所述的集成電路器件，其中所述下絕緣部分和所述第一絕緣區域延伸到比所述襯底的頂表面低的水平。

10.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述絕緣間隔物還包括在所述導電線結構的所述側壁上的第二絕緣間隔物，其中所述第一絕緣間隔物的部分在所述第二絕緣間隔物與所述導電線結構之間，并且

其中所述第二絕緣間隔物穿透所述狹縫部分。

11.根據權利要求10所述的集成電路器件，其中所述第二絕緣間隔物包括插入部分，所述插入部分穿透所述狹縫部分并且延伸到所述內間隔物與所述下絕緣部分之間的空間。

12.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：

鄰近所述導電線結構的接觸結構，其間具有所述絕緣間隔物，

其中，在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上，所述接觸結構的第一部分具有第三寬度，并且所述接觸結構的第二部分具有大于所述第三寬度的第四寬度，所述第一部分鄰近所述下絕緣部分，并且所述第二部分鄰近所述上絕緣部分。