[發明專利]半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811009432.3
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109427937B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 涂均祥;郭得山;陳鵬壬
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體元件及其制造方法，該半導體元件包含：一基板，包含一基部及與該基部相接的多個特征部；一第一緩沖結構設于該基部上，且與該些特征部之間具有至少一距離；以及一半導體疊層設于該第一緩沖結構及該些特征部上。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件及其制造方法，特別是涉及基板具有特征部的半導體元件及其制造方法。

背景技術

半導體元件包含由Ⅲ-Ⅴ族元素組成的化合物半導體，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)，半導體元件可以為發光二極管(LED)、激光或太陽能電池等光電半導體元件或為功率裝置(Power Device)。其中，LED的結構包含一p型半導體層、一n型半導體層與一活性層，活性層設于p型半導體層與n型半導體層之間，使得在一外加電場作用下，n型半導體層及p型半導體層所分別提供的電子及空穴在活性層復合，以將電能轉換成光能。提升光電半導體元件的光電轉換效率，實為一直以來研發人員研發的重點之一。

發明內容

本發明提供一種半導體元件，包含：一基板，包含一基部及與該基部相接的多個特征部；一第一緩沖結構設于該基部上，且與該些特征部之間具有至少一距離；以及一半導體疊層設于該第一緩沖結構及該些特征部上。

本發明另提供一種半導體元件的制造方法，包含：提供一基板，該基板包含一基部及與該基部相接的多個特征部；在該基板上形成一第一緩沖結構以覆蓋該基部，該些特征部的至少一部分未覆蓋有該第一緩沖結構；以及形成一半導體疊層設于該第一緩沖結構及該些特征部上。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的半導體元件的剖面示意圖；

圖2A是本發明第一實施例的半導體元件的部分剖面放大示意圖；

圖2B是本發明內容第二實施例的半導體元件的部分剖面放大示意圖；

圖3是本發明第一實施例的半導體元件的第一緩沖結構與基板的部分俯視示意圖；

圖4是本發明第三實施例的半導體元件的第一緩沖結構與基板的部分俯視示意圖；

圖5是本發明第一實施例的半導體元件的制造過程的部分剖面放大示意圖；

圖6是本發明第一實施例的半導體元件的部分剖面放大示意圖；

圖7是本發明第四實施例的半導體元件的部分剖面示意圖；

圖8是本發明第五實施例的半導體元件的第一緩沖結構、第二緩沖結構與基板的部分俯視示意圖。

符號說明

100 半導體元件

1 基板

11 基部

12 特征部

121 端點

122 側面

123 第一輪廓

2 第一緩沖結構

2S 緩沖部

2S’ 中心點

21 第二輪廓

22 側壁

2a 第二緩沖結構

21a 第二緩沖部

21a’ 第三輪廓

211a 第一部分

212a 第二部分

3 半導體疊層

31 第一半導體層