[發明專利]半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811009432.3
• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109427937B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 涂均祥;郭得山;陳鵬壬
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件，其特征在于，包含：

基板，包含基部及與該基部相接的多個特征部；

第一緩沖結構，設于該基部上，且與該些特征部之間具有至少一距離；以及

半導體疊層，設于該第一緩沖結構及該些特征部上。

2.一種半導體元件，其特征在于，包含：

基板，包含基部及與該基部相接的多個特征部；

第一緩沖結構，設于該基部上，且與該些特征部之間具有至少一距離；

第二緩沖結構，設于該些特征部上；以及

半導體疊層，設于該第一緩沖結構及該些特征部上，該第二緩沖結構位于該半導體疊層與該些特征部之間。

3.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，該距離不小于10nm。

4.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，該第一緩沖結構包含半導體單晶材料。

5.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該第二緩沖結構包含半導體單晶材料。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中，該些特征部上未設有該第一緩沖結構。

7.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，該半導體疊層與該些特征部的至少一部分直接相接。

8.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，由俯視觀之，該第一緩沖結構為連續膜層且設于該些特征部之間。

9.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該第二緩沖結構的厚度小于該第一緩沖結構的厚度。

10.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，該基板具有第一表面包含該基部及該些特征部，且該基部與該些特征部分別具有不同的晶格面。

11.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，該第一緩沖結構的材料包含單晶材料、多晶材料、非晶材料、透明的高分子材料、氧化物、氮化物或氟化物，該半導體疊層的材料為三五族化合物半導體，該第一緩沖結構的該材料與該半導體疊層的該材料不同。

12.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該第二緩沖結構的材料包含單晶材料、多晶材料、非晶材料、透明的高分子材料、氧化物、氮化物或氟化物，該半導體疊層的材料為三五族化合物半導體，該第二緩沖結構的該材料與該半導體疊層的該材料不同。

13.如權利要求11所述的半導體元件，其中，該第一緩沖結構的材料為AlN，該半導體疊層的材料為GaN。

14.如權利要求12所述的半導體元件，其中，該第二緩沖結構的材料為AlN，該半導體疊層的材料為GaN。

15.如權利要求1或2所述的半導體元件，其中，該第一緩沖結構的厚度為

16.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該些特征部分別包含二側面，第二緩沖結構包含第一部分及第二部分分別設于該些側面上，該第一部分包含第一長度及該第二部分包含第二長度，該第一長度與該第二長度相同或不同。

17.一種半導體元件的制造方法，其特征在于，包含：

提供基板，該基板具有第一表面包含基部及與該基部相接的多個特征部；

通過第一方式在該第一表面上形成緩沖結構；

部分移除該緩沖結構，以形成第一緩沖結構位于該基部上；以及

通過第二方式形成半導體疊層設于該第一緩沖結構及該些特征部上。

18.如權利要求17所述的半導體元件的制造方法，其中，該第一方式為物理氣相沉積法。

19.如權利要求17所述的半導體元件的制造方法，其中，該第二方式為有機金屬化學氣相沉積法。