[發(fā)明專利]通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811007044.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109244099A | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王小東;汪朝敏;白雪平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L27/148 | 分類號(hào): | H01L27/148 |
| 代理公司: | 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215 | 代理人: | 王海軍 |
| 地址: | 400060 *** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 疊層 管殼 紅外譜段 片粘接 減薄 粘接 封裝 絕緣介質(zhì)材料 設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域 背面減薄 兩端接入 量子效率 直接封裝 下表面 透光 多片 引腳 制作 背面 驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明提出通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件及其制作方法,屬于CCD器件設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括以下步驟:S1、將普通CCD器件進(jìn)行背面減薄;S2、將兩片減薄后的CCD器件背面分別粘接在透光絕緣介質(zhì)材料的上、下表面,得到至少一組兩片粘接的CCD器件單元;S3、將粘接的CCD器件封裝在專用管殼中,即對(duì)于一組兩片粘接的CCD器件單元直接封裝在專用管殼中;對(duì)于多組兩片粘接的CCD器件單元,將它們粘接成整體后再封裝在專用管殼中;S4、在專用管殼兩端接入系列引腳進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。通過對(duì)常規(guī)CCD器件進(jìn)行減薄并疊層,2片/多片減薄后的CCD器件疊層應(yīng)用,可以增強(qiáng)900nm~1000nm近紅外譜段的量子效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及CCD器件設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件及其制作方法。
背景技術(shù)
電荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)是一種微型圖像傳感器,本身兼具光電轉(zhuǎn)換功能和信號(hào)的存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、轉(zhuǎn)換等功能,可以將空間域內(nèi)分布的圖像,轉(zhuǎn)換成為按時(shí)間域離散分布的電信號(hào)。具有靈敏度高、光譜響應(yīng)寬、動(dòng)態(tài)范圍大、像元尺寸小、幾何精度高、成像質(zhì)量好、抗震動(dòng)、抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。
可見光面陣CCD作為一種高靈敏度光電傳感器,在工業(yè)檢測(cè)和安全檢驗(yàn)領(lǐng)域中的光譜測(cè)繪、圖形掃描、快速掃描成像、定標(biāo)測(cè)量等系統(tǒng)有廣泛應(yīng)用,可見光面陣CCD具有很寬的光譜探測(cè)范圍,但近紅外譜段響應(yīng)普遍較低。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,為了提高近紅外光譜段響應(yīng),本發(fā)明提出通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件及其制作方法。
本發(fā)明首先提出通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件,包括至少一組兩片粘接的CCD器件單元;所述兩片粘接的CCD器件單元包括兩片刻蝕去除襯底層的普通CCD器件和透光絕緣介質(zhì)材料,即從上到下依次為硅片外膜層、硅片外延層、透光絕緣介質(zhì)材料、硅片外延層和硅片外膜層。
進(jìn)一步的,當(dāng)兩片粘接的CCD器件單元為多組時(shí),兩片粘接的CCD器件單元兩兩依次粘接形成一個(gè)整體。
進(jìn)一步的,所述硅片外膜層從上至下依次包括SiO2材料的表層、Si3N4材料的中間層以及SiO2材料的柵氧層。
進(jìn)一步的,所述硅片外延層包括光敏區(qū)二極管以及位于光敏區(qū)二極管兩邊的溝阻。
進(jìn)一步的,所述硅片外膜層厚度為180~220μm。
進(jìn)一步的,所述硅片外延層厚度為10μm。
進(jìn)一步的,所述透光絕緣介質(zhì)材料的厚度為10~100μm。
本發(fā)明還提出通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件的制作方法,采用普通CCD器件,所述普通CCD器件從上到下依次包括硅片外膜層、硅片外延層及硅片襯底層,包括以下步驟:
S1、將普通CCD器件進(jìn)行背面減薄,即將硅襯底層全部刻蝕掉;
S2、將兩片減薄后的CCD器件背面分別粘接在透光絕緣介質(zhì)材料的上、下表面,按照前述方法實(shí)施一次或多次,得到至少一組兩片粘接的CCD器件單元;
S3、將粘接的CCD器件封裝在專用管殼中,即對(duì)于一組兩片粘接的CCD器件單元直接封裝在專用管殼中;對(duì)于多組兩片粘接的CCD器件單元,將它們粘接成一個(gè)整體后再封裝在專用管殼中;
S4、在專用管殼兩端接入系列引腳進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
進(jìn)一步的,所述專用管殼包括光窗、鍵合線和外殼,所述外殼上表面中間部分向下凹陷形成凹槽,凹槽的兩端設(shè)置有鍵合線,粘接的CCD器件兩端與鍵合線接觸,設(shè)置在兩個(gè)鍵合線之間,所述光窗設(shè)置在外殼的上表面。
進(jìn)一步的,所述專用管殼兩端設(shè)置有引腳。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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