[發(fā)明專利]通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件及其制作方法

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• 申請日: 2018-08-31
• 公開（公告）號: CN109244099A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王小東;汪朝敏;白雪平
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01L27/148
• 分類號: H01L27/148
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 王海軍

1.通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：包括至少一組兩片粘接的CCD器件單元；所述兩片粘接的CCD器件單元包括兩片刻蝕去除襯底層的普通CCD器件和透光絕緣介質(zhì)材料，即從上到下依次為硅片外膜層、硅片外延層、透光絕緣介質(zhì)材料、硅片外延層和硅片外膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：當兩片粘接的CCD器件單元為多組時，兩片粘接的CCD器件單元兩兩依次粘接形成一個整體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：所述硅片外膜層從上至下依次包括SiO₂材料的表層、Si₃N₄材料的中間層以及SiO₂材料的柵氧層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：所述硅片外延層包括光敏區(qū)二極管以及位于光敏區(qū)二極管兩邊的溝阻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：所述硅片外膜層厚度為180～220μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：所述硅片外延層厚度為10μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件，其特征在于：所述透光絕緣介質(zhì)材料的厚度為10～100μm。

8.通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件的制作方法，采用普通CCD器件，所述普通CCD器件從上到下依次包括硅片外膜層、硅片外延層及硅片襯底層，其特征在于：包括以下步驟：

S1、將普通CCD器件進行背面減薄，即將硅襯底層全部刻蝕掉；

S2、將兩片減薄后的CCD器件背面分別粘接在透光絕緣介質(zhì)材料的上、下表面，按照前述方法實施一次或多次，得到至少一組兩片粘接的CCD器件單元；

S3、將粘接的CCD器件封裝在專用管殼中，即對于一組兩片粘接的CCD器件單元直接封裝在專用管殼中；對于多組兩片粘接的CCD器件單元，將它們粘接成一個整體后再封裝在專用管殼中；

S4、在專用管殼兩端接入系列引腳進行驅(qū)動。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件的制作方法，其特征在于：所述專用管殼包括光窗、鍵合線和外殼，所述外殼上表面中間部分向下凹陷形成凹槽，凹槽的兩端設(shè)置有鍵合線，粘接的CCD器件兩端與鍵合線接觸，設(shè)置在兩個鍵合線之間，所述光窗設(shè)置在外殼的上表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的通過疊層提高近紅外譜段效率的CCD器件的制作方法，其特征在于：所述專用管殼兩端設(shè)置有引腳。