[發(fā)明專利]存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811003608.4
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN110299379B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖本敏幸
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B63/00
• 分類號: H10B63/00;H10N70/20
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

存儲裝置包含襯底；第一及第二絕緣層，其在第一方向上延伸；第一導(dǎo)電層，其在所述第一方向上延伸，在垂直于所述襯底的第二方向上處于所述第一及第二絕緣層之間；第二導(dǎo)電層，其在所述第二方向上延伸；可變電阻層，其提供于所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間；及第一層，其具有接觸所述第一絕緣層的第一表面，及在第三方向上接觸所述可變電阻層的第二表面。所述第一表面相對于所述第三方向具有從第一部分到比所述第一部分更靠近所述第二表面的第二部分的傾斜。在所述第二方向上所述第一部分與所述第二絕緣層之間的距離大于所述第二部分與所述第二絕緣層之間的距離。

相關(guān)申請的交叉參考

本申請案基于2018年3月22日提交的第2018-055381號日本專利申請案且要求所述專利申請案的優(yōu)先權(quán)，所述專利申請案的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中所描述的實(shí)施例大體上涉及一種存儲裝置。

背景技術(shù)

作為大容量非易失性存儲器，已積極地開發(fā)雙端電阻性隨機(jī)存取存儲器來替換相關(guān)技術(shù)的浮柵型NAND快閃存儲器。此類型的存儲器實(shí)現(xiàn)低電壓/低電流操作、高速開關(guān)，及存儲器單元的小型化及高度集成。

在大容量存儲器陣列中，稱為位線及字線的大量金屬布線布置成彼此相交，并且存儲器單元形成于位線及字線的每個交點(diǎn)處。通過將電壓施加到連接到單元的位線BL及字線WL，執(zhí)行寫入到一個存儲器單元。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例提供一種具有減小的存儲器單元電流的存儲裝置。

實(shí)施例提供，

存儲裝置，其包括：

襯底；

第一絕緣層，其在第一方向上延伸；

第二絕緣層，其在第一方向上延伸；

第一導(dǎo)電層，其在第一方向上延伸并且在垂直于襯底及與第一方向相交的第二方向上提供于第一絕緣層與第二絕緣層之間；

第二導(dǎo)電層，其在第二方向上延伸；

可變電阻層，其提供于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間；及

第一層，其包含與第一絕緣層接觸的第一表面，及與第一表面鄰接并且在與第一方向及第二方向相交的第三方向上與可變電阻層接觸的第二表面，

其中第一表面相對于第三方向具有從第一部分到比第一部分更靠近第二表面的第二部分的傾斜，使得第一絕緣層的部分在第三方向上處于第一部分與可變電阻層之間，并且在第二方向上在第一部分與第二絕緣層之間的第一距離大于在第二部分與第二絕緣層之間的第二距離。

此外，實(shí)施例提供，

存儲裝置，其包括：

襯底；

第一導(dǎo)電層，其在第一方向上延伸；

第二導(dǎo)電層，其在垂直于襯底及與第一方向相交的第二方向上延伸，并且在與第一方向及第二方向相交的第三方向上與第一導(dǎo)電層間隔開；

可變電阻層，其提供于第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間；及

第一層，其在第三方向上提供于第一導(dǎo)電層與可變電阻層之間，其中

存儲裝置經(jīng)配置以基于第二導(dǎo)電層在第二方向上的電阻值變化而存儲信息，所述電阻值變化基于通過跨越第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層施加電壓引起的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的區(qū)域的電阻值變化，及

在比第二導(dǎo)電層更靠近第一導(dǎo)電層的第一部分處在第二方向上的第一層的長度大于在比第一導(dǎo)電層更靠近第二導(dǎo)電層的第二部分處的長度。

此外，實(shí)施例提供，