[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201811003608.4
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN110299379B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 巖本敏幸
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B63/00
• 分類號: H10B63/00;H10N70/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種存儲裝置，其包括：

襯底；

第一絕緣層，其在第一方向上延伸；

第二絕緣層，其在所述第一方向上延伸；

第一導電層，其在所述第一方向上延伸并且在垂直于所述襯底及與所述第一方向相交的第二方向上提供于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間；

第二導電層，其在所述第二方向上延伸；

可變電阻層，其提供于所述第一導電層與所述第二導電層之間；及

第一層，其包含與所述第一絕緣層接觸的第一表面，及與所述第一表面鄰接并且在與所述第一方向及所述第二方向相交的第三方向上與所述可變電阻層接觸的第二表面，

其中所述第一表面相對于所述第三方向具有從第一部分到比所述第一部分更靠近所述第二表面的第二部分的傾斜，使得所述第一絕緣層的部分在所述第三方向上處于所述第一部分與所述可變電阻層之間，并且在所述第二方向上所述第一部分與所述第二絕緣層之間的第一距離大于所述第二部分與所述第二絕緣層之間的第二距離。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中所述第一層在所述第一方向上延伸，并且在所述第二方向上處于所述第一導電層與所述第一絕緣層之間及在所述第二方向上處于所述第一導電層與所述第二絕緣層之間。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其進一步包括選擇層，所述選擇層選擇性地阻止電流流經所述第一導電層與所述可變電阻層之間。

4.根據權利要求3所述的存儲裝置，其中所述選擇層是硫族化物層。

5.根據權利要求3所述的存儲裝置，其中所述選擇層處于所述第一絕緣層與所述可變電阻層之間。

6.根據權利要求3所述的存儲裝置，其中所述第一絕緣層處于所述選擇層與所述可變電阻層之間。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中所述第一部分與所述可變電阻層之間的距離大于所述第二部分與所述可變電阻層之間的距離。

8.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中

所述第一層進一步包含第三表面，所述第三表面與所述第二表面鄰接并且與所述第一表面間隔開，及

所述第二絕緣層提供于所述第三表面與所述可變電阻層之間。

9.根據權利要求8所述的存儲裝置，其中所述第三表面相對于所述第三方向具有從第三部分到比所述第三部分更靠近所述第二表面的第四部分的傾斜，使得所述第二絕緣層的部分在所述第三方向上處于所述第三部分與所述可變電阻層之間，并且在所述第二方向上所述第三部分與所述第一絕緣層之間的第三距離大于所述第四部分與所述第一絕緣層之間的第四距離。

10.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中所述第一層是半導體層。

11.一種存儲裝置，其包括：

襯底；

第一導電層，其在第一方向上延伸；

第二導電層，其在垂直于所述襯底及與所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且在與所述第一方向及所述第二方向相交的第三方向上與所述第一導電層間隔開；

可變電阻層，其提供于所述第一導電層與所述第二導電層之間；及

第一層，其在所述第三方向上提供于所述第一導電層與所述可變電阻層之間，其中

所述存儲裝置經配置以基于所述第二導電層在所述第二方向上的電阻值變化而存儲信息，所述電阻值變化基于通過跨越所述第一導電層與所述第二導電層施加電壓引起的所述第一導電層與所述第二導電層之間的區域的電阻值變化，及

比所述第二導電層更靠近所述第一導電層的第一部分處在所述第二方向上的所述第一層的長度大于比所述第一導電層更靠近所述第二導電層的第二部分處的長度。