[發(fā)明專利]具有校正溫度漂移的集成電路芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811000808.4
• 申請日: 2015-07-30
• 公開（公告）號: CN109119405B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發(fā)明（設計）人: S·龐塔羅洛;P·邁格
• 申請（專利權）人: 意法半導體（格勒諾布爾2）公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/34;H01L27/02;G01K7/01;G01R31/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

本發(fā)明涉及具有校正溫度漂移的集成電路芯片，其中集成電路芯片包括溝槽，溝槽至少部分地環(huán)繞電路的對溫度變化敏感的關鍵部分。溝槽局部中斷以允許電路連接經過關鍵部分和包含電路的剩余部分的外部之間。關鍵部分包括加熱電阻器和溫度傳感器。

本申請是申請日為2015年07月30日、申請?zhí)枮?01510459961.3、發(fā)明名稱為“有校正溫度漂移的集成電路芯片”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。

技術領域

本發(fā)明涉及包含集成電路的芯片，其具有能夠隨溫度改變的一種或多種特性。

背景技術

特定的集成電路(例如運算放大器或參考電壓發(fā)生器)在它們的一些參數沒有被精確調整的情況下能夠在其操作期間發(fā)生溫度漂移。即使計算這些電路的參數以避免這種漂移，但制造波動的技術導致在相同晶圓上制造的各種電路或者在不同晶圓上制造的電路將顯示出技術差異，使得所制造的電路發(fā)生溫度漂移。

如果該電路的參數沒有被精確調整，則能夠發(fā)生溫度漂移的集成電路的示例性特性是運算放大器的反相輸入和非反相輸入之間的偏移電壓。

因此，為了能夠提供溫度不漂移的集成電路，制造者必須對每個制造的電路執(zhí)行晶圓測試并調整電路的參數，使得它們的溫度不漂移。這種調整例如通過在集成電路中提供電阻器網絡(其中元件通過激光修整而斷開)來執(zhí)行。

更具體地，在運算放大器的偏移電壓的情況下，在多個溫度(目前為兩個溫度)處執(zhí)行四點探針測量，并且根據這些測量值來確定調整上述阻抗網絡的阻抗的方式。作為示例，在2008年10月標題為MT-037TUTORIAL的ANALOG DEVICES文檔中描述了用于根據在各個溫度處執(zhí)行的測量調整偏移電壓的方法(其全部內容以引用的方式引入本申請)。

如已經提到的，這要求在兩個不同的溫度處執(zhí)行測量。為此，晶圓被放置在加熱支持件上。支持件首先被保持為室溫，然后被加熱以達到高溫(例如，100℃)。在這些溫度的每個溫度處，執(zhí)行四點探針測量，然后可以實施先前描述的激光調整方法。

這種方法的難度在于使晶圓具有兩個不同的溫度。實際上，通過將支持件從第一穩(wěn)定溫度加熱到第二穩(wěn)定溫度花費幾分鐘的時間。與總的芯片制造時間相比，這種持續(xù)時間不能被忽略并且對晶圓的總制造成本產生顯著的影響。

因此，需要減少測試時間。

發(fā)明內容

因此，實施例提供了一種集成電路芯片，包括：溝槽，環(huán)繞電路中使其對溫度變化敏感的關鍵部分，這種溝槽橫跨芯片并且局部斷開以在電路的所述部分和剩余部分之間使連接通過；以及加熱電阻器和溫度傳感器，放置在所述電路部分中。

根據一個實施例，溫度傳感器是P-N結二極管。

根據一個實施例，加熱電阻器是擴散電阻器。

根據一個實施例，關鍵部分被溝槽的雙網絡環(huán)繞，溝槽被形成為限定將電路的關鍵部分連接至芯片的剩余部分的臂。

一個實施例提供了一種形成集成電路芯片的方法，該集成電路包括能夠使其對溫度變化敏感的關鍵部分，該方法包括以下步驟：識別集成電路的關鍵部分；在被溝槽環(huán)繞的絕緣部分中集中關鍵部分的元件；在絕緣部分中配置加熱電阻器和溫度傳感器；在各個溫度處測試芯片；以及調整芯片的關鍵部分的元件。

根據一個實施例，該方法還包括以下步驟：經由在芯片的關鍵部分的位置處中斷的絕緣層，在支持件上組裝包含芯片的晶圓；以及用蓋覆蓋芯片，其中中介絕緣層在芯片的關鍵部分上方中斷。

附圖說明

結合附圖在以下具體實施例的非限制描述中詳細討論前述和其他特征和優(yōu)勢。

圖1A是包括溫度校正集成電路的芯片的實施例的頂視圖；

圖1B是沿著圖1A的面BB截取的截面圖；以及