[發明專利]具有校正溫度漂移的集成電路芯片有效
| 申請號： | 201811000808.4 | 申請日： | 2015-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN109119405B | 公開（公告）日： | 2022-10-25 |
| 發明（設計）人： | S·龐塔羅洛;P·邁格 | 申請（專利權）人： | 意法半導體（格勒諾布爾2）公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L23/34;H01L27/02;G01K7/01;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;張昊 |
| 地址： | 法國格*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 校正 溫度 漂移 集成電路 芯片 | ||
1.一種集成電路芯片，包括：
多個溝槽，至少部分地環繞集成電路襯底的內部部分，所述內部部分包括對溫度變化敏感的電路裝置；
其中所述溝槽在多個區域處局部地中斷，電連接件在所述集成電路襯底的所述內部部分和環繞所述內部部分的外部部分之間穿過所述多個區域；
加熱電阻器，放置在所述內部部分中，并且被配置為改變所述內部部分的溫度；
放大器，包括第一電路部分和第二電路部分，所述第一電路部分在所述集成電路襯底的所述外部部分中，所述第二電路部分包括對溫度變化敏感的所述電路裝置；以及
溫度傳感器，放置在所述內部部分中。
2.根據權利要求1所述的芯片，其中所述溫度傳感器是PN結二極管。
3.根據權利要求1所述的芯片，其中所述加熱電阻器是擴散電阻器。
4.根據權利要求1所述的芯片，其中所述多個溝槽包括環繞所述內部部分的溝槽的雙網絡，溝槽的所述雙網絡中的溝槽被形成為限定臂，所述臂將所述集成電路芯片的所述內部部分連接至所述集成電路芯片的所述外部部分。
5.根據權利要求1所述的芯片，包括：半導體層，被下方支持層支持但與所述下方支持層絕緣，其中所述溝槽延伸到完全穿過所述半導體層的厚度的深度。
6.根據權利要求5所述的芯片，其中所述內部部分的底部與所述下方支持層絕緣。
7.根據權利要求1所述的芯片，還包括：蓋層，安裝至所述集成電路芯片的所述外部部分并且在所述內部部分之上延伸但與所述內部部分絕緣。
8.根據權利要求1所述的芯片，其中對溫度變化敏感的所述電路裝置影響所述放大器的偏移電壓。
9.根據權利要求1所述的芯片，其中包括對溫度變化敏感的所述電路裝置的所述第二電路部分包括所述放大器的輸入級。
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