[發明專利]一種OLED顯示面板及OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 201811000588.5 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN109103232A | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發明(設計)人: | 李建東 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王寶筠 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光子晶體結構 單層 光子禁帶 發光層 光子 陣列基板 層結構 單色光 光波長 色純度 出射 背離 申請 | ||
本申請提供一種OLED顯示面板及OLED顯示裝置,OLED顯示面板包括單層光子晶體結構,所述單層光子晶體結構位于OLED顯示面板的發光層背離陣列基板一側的任意層中,也即單層光子晶體結構位于OLED顯示面板發光層的出光側中的任意一層結構中。所述單層光子晶體結構能夠產生光子禁帶,頻率落在光子禁帶中的光子將無法通過光子晶體結構,從而可以調節允許通過單層光子晶體結構的光波長范圍,禁止不需要的光子出射,進而能夠提高OLED的單色光的色純度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示面板及OLED顯示裝置。
背景技術
OLED顯示裝置,由于具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點,已被列為極具發展前景的下一代顯示技術。
但是現有技術中OLED單色光的半高寬較大,導致顯示單色性不好,光譜純度不夠高,發光顏色不夠鮮明。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種OLED顯示面板及顯示裝置,以解決現有技術中OLED單色光的半高寬較大,導致顯示單色性不好,光譜純度不夠高,發光顏色不夠鮮明的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種OLED顯示面板,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括多個薄膜晶體管;
位于所述陣列基板表面的像素定義層,所述像素定義層包括多個開口,一個所述開口對應一個薄膜晶體管設置,定義一個子像素;
位于所述開口內的第一電極層和發光層;
位于所述發光層背離所述陣列基板表面的第二電極層;
位于所述第二電極層背離所述陣列基板一側的薄膜封裝層;
單層光子晶體結構;
其中,每個所述開口內的第一電極層與所述開口對應的薄膜晶體管的源極或漏極電性連接;
所述單層光子晶體結構位于所述發光層出光側的任意層中。
本發明還提供一種OLED顯示裝置,包括上面所述的OLED顯示面板。
經由上述的技術方案可知,本發明提供的OLED顯示面板,包括單層光子晶體結構,所述單層光子晶體結構位于OLED顯示面板的發光層背離陣列基板一側的任意層中,也即單層光子晶體結構位于OLED顯示面板發光層的出光側中的任意一層結構中。所述單層光子晶體結構能夠產生光子禁帶,頻率落在光子禁帶中的光子將無法通過光子晶體結構,從而可以調節允許通過單層光子晶體結構的光波長范圍,禁止不需要的光子出射,進而能夠提高OLED的單色光的色純度。
本發明還提供一種OLED顯示裝置,所述顯示裝置包括上面所述的OLED顯示面板,同樣由于增加了光子晶體結構,能夠提高OLED顯示裝置的單色光的色純度,使得OLED顯示裝置的發光更加鮮明。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例提供的一種頂發光OLED結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的一種單層光子晶體結構示意圖;
圖3為本發明實施例提供的另一種單層光子晶體結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





