[發明專利]一種OLED顯示面板及OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 201811000588.5 | 申請日: | 2018-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN109103232A | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發明(設計)人: | 李建東 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王寶筠 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光子晶體結構 單層 光子禁帶 發光層 光子 陣列基板 層結構 單色光 光波長 色純度 出射 背離 申請 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括多個薄膜晶體管;
位于所述陣列基板表面的像素定義層,所述像素定義層包括多個開口,一個所述開口對應一個薄膜晶體管設置,定義一個子像素;
位于所述開口內的第一電極層和發光層;
位于所述發光層背離所述陣列基板表面的第二電極層;
位于所述第二電極層背離所述陣列基板一側的薄膜封裝層;
單層光子晶體結構;
其中,每個所述開口內的第一電極層與所述開口對應的薄膜晶體管的源極或漏極電性連接;
所述單層光子晶體結構位于所述發光層出光側的任意層中。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述單層光子晶體結構位于所述第二電極層中。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述薄膜封裝層包括噴墨印刷層和位于所述噴墨印刷層相對兩側的無機物層;
所述單層光子晶體結構位于所述噴墨印刷層中。
4.根據權利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述單層光子晶體結構包括多個呈周期陣列排布的圓柱形結構,所述圓柱形結構的軸垂直于所述陣列基板。
5.根據權利要求4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述圓柱形結構的光子晶體結構材料為SiN。
6.根據權利要求5所述的OLED顯示面板,其特征在于,在垂直于所述圓柱形結構的軸的平面內,所述圓柱形結構光子晶體結構的排列周期為300nm;
所述圓柱形結構的底面半徑為50nm。
7.根據權利要求6所述的OLED顯示面板,其特征在于,包括多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素。
8.根據權利要求7所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一子像素為紅色子像素、所述第二子像素為綠色子像素、所述第三子像素為藍色子像素。
9.根據權利要求8所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述紅色子像素對應的圓柱形光子晶體結構的高的范圍為560nm≤HR≤610nm;所述綠色子像素對應的圓柱形光子晶體結構的高的范圍為520nm≤HG≤540nm;所述藍色子像素對應的圓柱形光子晶體結構的高的范圍為615nm≤HB≤630nm;均包括端點值。
10.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述單層光子晶體結構包括多個呈周期陣列排布的圓球形結構或多個呈周期陣列排布的立方體形結構。
11.根據權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述單層光子晶體結構的材質為SiO2。
12.一種OLED顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-11任意一項所述的OLED顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





