[發(fā)明專利]一種防漏電LED芯片及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810999618.1
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN109087981A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葛玉龍
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本發(fā)明公開了一種防漏電LED芯片，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)于第二半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層；設(shè)于第一半導(dǎo)體層上的第一電極，設(shè)于透明導(dǎo)電層上的第二電極；絕緣層，所述絕緣層覆蓋在第一裸露區(qū)域的表面和側(cè)壁、第二裸露區(qū)域的表面和側(cè)壁、第一電極的側(cè)壁、以及第二電極的側(cè)壁；其中，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層由SiO₂制成，第二絕緣層由SiN制成。本發(fā)明在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁設(shè)置絕緣層，防止芯片與焊線接觸而發(fā)生短路漏電。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種防漏電LED芯片的制作方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種防漏電LED芯片及其制作方法。

背景技術(shù)

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種利用載流子復(fù)合時釋放能量形成發(fā)光的半導(dǎo)體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應(yīng)時間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢。

其中，LED芯片在封裝過程中，封裝方式、封裝材料、封裝環(huán)境等因素均對LED芯片的性能產(chǎn)生較大的影響。在LED芯片的封裝過程中，封裝焊線過程中使用的線材一般為金屬線材，焊線在制程過程中容易出現(xiàn)塌線，接觸到LED芯片的側(cè)邊，由于傳統(tǒng)LED芯片的側(cè)邊沒有保護結(jié)構(gòu)，外延層直接裸露出來，因此LED芯片在通電后，焊線塌陷接觸LED芯片的側(cè)邊形成短路漏電。

現(xiàn)有技術(shù)只能通過改變封裝過程中的LED芯片的排布設(shè)計，盡量避免塌線接觸到LED芯片的側(cè)邊，無法根本解決塌線接觸后芯片漏電的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種防漏電LED芯片，在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成保護結(jié)構(gòu)，防止芯片與焊線接觸而發(fā)生短路漏電。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種防漏電LED芯片的制作方法，在發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成保護結(jié)構(gòu)，防止芯片與焊線接觸而發(fā)生短路漏電。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種防漏電LED芯片的制作方法，包括：

提供發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括襯底，設(shè)于襯底上的外延層，所述外延層包括依次設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，位于外延層邊緣的第一裸露區(qū)域，以及與第一裸露區(qū)域連通的第二裸露區(qū)域，其中，第一裸露區(qū)域貫穿第二半導(dǎo)體層、有源層和第一半導(dǎo)體層并延伸至襯底表面，第二裸露區(qū)域貫穿第二半導(dǎo)體層和有源層并延伸至第一半導(dǎo)體層；

在第二半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層；

在第一半導(dǎo)體層上形成第一電極，在透明導(dǎo)電層上形成第二電極，得到LED晶圓；

在LED晶圓上形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋在第一裸露區(qū)域的表面和側(cè)壁、第二裸露區(qū)域的表面和側(cè)壁、第一電極的側(cè)壁、以及第二電極的側(cè)壁；

其中，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層由SiO₂制成，第二絕緣層由SiN制成。

作為上述方案的改進，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法包括：

提供襯底；

在襯底表面形成外延層，所述外延層包括設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層，設(shè)于第一半導(dǎo)體層上的有源層、以及設(shè)于有源層上的第二半導(dǎo)體層；

對所述外延層的邊緣進行刻蝕，形成貫穿第二半導(dǎo)體層、有源層和第一半導(dǎo)體層并延伸至襯底表面的第一裸露區(qū)域；

對靠近第一裸露區(qū)域的外延層進行刻蝕，形成貫穿第二半導(dǎo)體層和有源層并延伸至第一半導(dǎo)體層的第二裸露區(qū)域。

作為上述方案的改進，第一裸露區(qū)域和第二裸露區(qū)域的側(cè)壁具有預(yù)設(shè)的傾斜角度。

作為上述方案的改進，第一裸露區(qū)域和第二裸露區(qū)域側(cè)壁的傾斜角度為3-15度。