[發明專利]一種防漏電LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201810999618.1
• 申請日: 2018-08-30
• 公開（公告）號: CN109087981A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 葛玉龍
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供發光結構，所述發光結構包括襯底，設于襯底上的外延層，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，位于外延層邊緣的第一裸露區域，以及與第一裸露區域連通的第二裸露區域，其中，第一裸露區域貫穿第二半導體層、有源層和第一半導體層并延伸至襯底表面，第二裸露區域貫穿第二半導體層和有源層并延伸至第一半導體層；

在第二半導體層上形成透明導電層；

在第一半導體層上形成第一電極，在透明導電層上形成第二電極，得到LED晶圓；

在LED晶圓上形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋在第一裸露區域的表面和側壁、第二裸露區域的表面和側壁、第一電極的側壁、以及第二電極的側壁；

其中，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層由SiO₂制成，第二絕緣層由SiN制成。

2.如權利要求1所述的防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，所述發光結構的制作方法包括：

提供襯底；

在襯底表面形成外延層，所述外延層包括設于襯底上的第一半導體層，設于第一半導體層上的有源層、以及設于有源層上的第二半導體層；

對所述外延層的邊緣進行刻蝕，形成貫穿第二半導體層、有源層和第一半導體層并延伸至襯底表面的第一裸露區域；

對靠近第一裸露區域的外延層進行刻蝕，形成貫穿第二半導體層和有源層并延伸至第一半導體層的第二裸露區域。

3.如權利要求2所述的防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，第一裸露區域和第二裸露區域的側壁具有預設的傾斜角度。

4.如權利要求3所述的防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，第一裸露區域和第二裸露區域側壁的傾斜角度為3-15度。

5.如權利要求1所述的防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，第一絕緣層的厚度為1000-3000埃，第二絕緣層的厚度為5000-10000埃。

6.如權利要求1所述的防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的制作方法包括：

采用等離子增強化學氣相沉積工藝，通入SiO₂，在LED晶圓上沉積形成第一絕緣層，其中，第一絕緣層覆蓋在第一裸露區域的表面和側壁、第二裸露區域的表面和側壁、第一電極的表面和側壁、以及第二電極的表面和側壁。

停止通入SiO₂，并通入SiN，在第一絕緣層上沉積形成第二絕緣層；

對第二絕緣層和第一絕緣層進行刻蝕，將第一電極和第二電極裸露出來。

7.如權利要求1所述的防漏電LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明導電層的面積小于第二半導體層的面積。

8.一種防漏電LED芯片，其特征在于，包括：

發光結構，所述發光結構包括襯底，設于襯底上的外延層，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，位于外延層邊緣的第一裸露區域，以及與第一裸露區域連通的第二裸露區域，其中，第一裸露區域貫穿第二半導體層、有源層和第一半導體層并延伸至襯底表面，第二裸露區域貫穿第二半導體層和有源層并延伸至第一半導體層；

設于第二半導體層上的透明導電層；

設于第一半導體層上的第一電極，設于透明導電層上的第二電極；

絕緣層，所述絕緣層覆蓋在第一裸露區域的表面和側壁、第二裸露區域的表面和側壁、第一電極的側壁、以及第二電極的側壁；

其中，所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層由SiO₂制成，第二絕緣層由SiN制成。

9.如權利要求8所述的防漏電LED芯片，其特征在于，第一裸露區域和第二裸露區域的側壁具有預設的傾斜角度。

10.如權利要求9所述的防漏電LED芯片，其特征在于，第一裸露區域和第二裸露區域側壁的傾斜角度為3-15度。