[發明專利]形成絕緣結構的方法

在審

• 申請號: 201810995795.2
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN110707037A
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 陳柏均;朱玄通;陳意維;劉瑋鑫;童宇誠;張家隆
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯

1.一種形成絕緣結構的方法，包含有：

提供基底，具有第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，其中該第三凹槽的開口大于該第二凹槽的開口，且該第二凹槽的開口大于該第一凹槽的開口；

以原子層沉積制作工藝形成第一氧化層，且該第一氧化層順應覆蓋該第一凹槽、該第二凹槽以及該第三凹槽；以及

以原位蒸汽產生制作工藝，將第二氧化層填滿該第一凹槽。

2.如權利要求1所述的形成絕緣結構的方法，其中填滿該第一凹槽時，以該第二氧化層部分填充該第二凹槽以及該第三凹槽。

3.如權利要求1所述的形成絕緣結構的方法，其中當形成該第一氧化層時，該第一氧化層密封該第一凹槽的開口，且至少一空隙位于該第一凹槽中。

4.如權利要求3所述的形成絕緣結構的方法，其中該空隙以該第二氧化層填滿。

5.如權利要求1所述的形成絕緣結構的方法，還包含：

形成第一氮化層于該第二氧化層上，并順應覆蓋該第二凹槽以及該第三凹槽。

6.如權利要求5所述的形成絕緣結構的方法，其中該第一氮化層以原子層沉積制作工藝形成。

7.如權利要求5所述的形成絕緣結構的方法，在形成該第一氮化層之后，還包含：

回蝕刻該第一氮化層。

8.如權利要求5所述的形成絕緣結構的方法，還包含：

以原子層沉積制作工藝形成第三氧化層，且該第三氧化層順應覆蓋該第一氮化層。

9.如權利要求8所述的形成絕緣結構的方法，在形成該第三氧化層之后，還包含：

進行旋轉涂布制作工藝，以第四氧化層填滿該第二凹槽以及該第三凹槽。

10.如權利要求9所述的形成絕緣結構的方法，還包含：

進行第一退火制作工藝于該第四氧化層。

11.如權利要求10所述的形成絕緣結構的方法，其中該第一退火制作工藝的制作工藝溫度為900℃。

12.如權利要求8所述的形成絕緣結構的方法，還包含：

進行化學機械研磨制作工藝，研磨該第四氧化層至暴露出該第一氮化層。

13.如權利要求12所述的形成絕緣結構的方法，在進行該化學機械研磨制作工藝之后，還包含：

進行第二退火制作工藝。

14.如權利要求13所述的形成絕緣結構的方法，其中該第二退火制作工藝的制作工藝溫度為1000℃。

15.如權利要求12所述的形成絕緣結構的方法，還包含：

移除部分的該第一氮化層。

16.如權利要求5所述的形成絕緣結構的方法，在形成該第一氮化層之前，還包含：

以原子層沉積制作工藝形成第五氧化層，順應覆蓋該第二氧化層。