[發明專利]脫離控制方法和等離子體處理裝置有效
| 申請號: | 201810995793.3 | 申請日: | 2018-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN109427534B | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 佐佐木康晴;平井克典;佐佐木淳一 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 脫離 控制 方法 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種脫離控制方法,使被靜電吸附于配置于等離子體處理裝置中的靜電卡盤的被處理體脫離,該脫離控制方法具有以下工序:
在利用支承機構升起所述被處理體且所述等離子體處理裝置不生成等離子體的期間,一邊向靜電卡盤的電極施加規定的靜電電壓一邊使被處理體脫離,
其中,使所述被處理體脫離的工序具有以下工序:
一邊向所述靜電卡盤的電極施加規定的靜電電壓,一邊判定與所述靜電卡盤的殘余電荷相應的值是否為規定的閾值以下;以及
與所述判定的結果相應地決定所述被處理體是否能夠脫離。
2.根據權利要求1所述的脫離控制方法,其特征在于,
與決定所述被處理體是否能夠脫離的工序的結果相應地,決定從與所述靜電卡盤的電極連接的直流電源向所述靜電卡盤的電極施加的靜電電壓的值。
3.根據權利要求1或2所述的脫離控制方法,其特征在于,
與所述靜電卡盤的殘余電荷相應的值為在利用所述支承機構升起所述被處理體時產生的力矩。
4.根據權利要求1或2所述的脫離控制方法,其特征在于,
與所述靜電卡盤的殘余電荷相應的值為在利用所述支承機構升起所述被處理體時在所述靜電卡盤的電極與同所述靜電卡盤的電極連接的直流電源之間流動的電流值。
5.根據權利要求1或2所述的脫離控制方法,其特征在于,
重復以下工序直到與所述靜電卡盤的殘余電荷相應的值為規定的閾值以下為止,該工序是階梯式地改變從與所述靜電卡盤的電極連接的直流電源向所述靜電卡盤的電極施加的靜電電壓的值,在升起所述被處理體時,一邊向所述靜電卡盤的電極施加階梯式地改變后的所述靜電電壓一邊判定與吸附所述被處理體的殘余電荷相應的值是否為規定的閾值以下。
6.根據權利要求5所述的脫離控制方法,其特征在于,
參照存儲有預先決定的靜電電壓與重復次數之間的關系的存儲部,來與重復所述工序的次數相應地決定從所述直流電源向所述靜電卡盤的電極施加的靜電電壓的值。
7.根據權利要求6所述的脫離控制方法,其特征在于,
通過在每次進行所述重復時使所述靜電電壓的值階梯式地增加或減少規定值來決定從所述直流電源向所述靜電卡盤的電極施加的靜電電壓的值。
8.根據權利要求6或7所述的脫離控制方法,其特征在于,
在所述重復的次數超過規定的限制值的情況下,進行用于對被靜電吸附于所述靜電卡盤的被處理體進行處理的所述等離子體處理裝置的維護。
9.一種等離子體處理裝置,具有:
靜電卡盤,其靜電吸附被處理體;直流電源,其向靜電卡盤的電極施加靜電電壓;以及控制部,
其中,所述控制部進行控制,以在利用支承機構升起所述被處理體且所述等離子體處理裝置不生成等離子體的期間,一邊向靜電卡盤的電極施加規定的靜電電壓一邊使被處理體脫離,
其中,所述控制部進行控制,以使得一邊向所述靜電卡盤的電極施加規定的靜電電壓一邊判定與所述靜電卡盤的殘余電荷相應的值是否為規定的閾值以下,并且與所述判定的結果相應地決定所述被處理體是否能夠脫離。
10.根據權利要求9所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
所述控制部進行控制,以使得與決定所述被處理體是否能夠脫離的決定結果相應地決定從所述直流電源向所述靜電卡盤的電極施加的靜電電壓的值。
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