[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201810995183.3
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109427659B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 許耀文;古明哲;楊能杰;王育文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在第一介電層內形成開口以暴露第一導電區域和第二導電區域；

在形成所述開口之后，實施襯墊去除工藝；以及

在實施所述襯墊去除工藝之后，在所述開口內施加第一處理化學物質來減小所述第一導電區域和所述第二導電區域之間的表面電位差。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述開口包括通孔部分和溝槽部分。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一導電區域電連接至半導體襯底的有源區，并且其中，所述第二導電區域與所述有源區電隔離。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，減小所述表面電位差將所述表面電位差減小至低于所述第一導電區域的材料的氧化還原電位的值。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一導電區域的材料包括銅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，減小所述表面電位差包括施加電導率介于0.005μS/cm和40μS/cm之間的所述第一處理化學物質。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一處理化學物質包括己烷。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在低k介電層內形成第一通孔開口和與所述第一通孔開口分開的第二通孔開口；

在所述低k介電層內形成第一溝槽開口，其中，形成所述第一溝槽開口將所述第一通孔開口和所述第二通孔開口延伸穿過所述低k介電層，其中，所述第一通孔開口暴露第一導電區域，所述第二通孔開口暴露第二導電區域；

在形成所述第一溝槽開口之后實施襯墊去除工藝；

在實施所述襯墊去除工藝之后，在所述第一通孔開口、所述第二通孔開口和所述第一溝槽開口內施加處理化學物質，其中，所述處理化學物質釋放所述第一通孔開口、所述第二通孔開口和所述第一溝槽開口內的表面電荷來減小所述第一導電區域和所述第二導電區域之間的表面電位差。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述處理化學物質包括己烷。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括，在施加所述處理化學物質之后，清潔所述第一通孔開口、所述第二通孔開口和所述第一溝槽開口。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，清潔所述第一通孔開口、所述第二通孔開口和所述第一溝槽開口包括施加與所述處理化學物質不同的清潔液。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述清潔液包括：

氧化劑；以及

有機溶劑。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述處理化學物質包括異丙醇。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述第一導電區域電連接至半導體襯底的有源區，并且其中，所述第二導電區域與所述半導體襯底的有源區電隔離。