[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201810995183.3
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109427659B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 許耀文;古明哲;楊能杰;王育文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

在半導體襯底上面的介電材料內形成開口。該開口可以包括通孔部分和溝槽部分。在制造工藝期間，可以將處理化學物質放置為與暴露表面接觸以釋放積聚在表面上的電荷。通過釋放電荷，減小了表面變化電位差，有助于防止進一步制造期間產生的電化學腐蝕。本發明的實施例還涉及半導體器件和制造方法。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體器件和制造方法。

背景技術

半導體器件用于諸如例如個人電腦、手機、數碼相機和其它電子設備的各種電子應用中。通常通過在半導體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導電層和半導體材料層以及使用光刻和蝕刻工藝圖案化各個材料層以在各個材料層上形成電路組件和元件來制造半導體器件。

半導體工業通過不斷減小最小部件尺寸持續地改進各個電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定的區域。然而，隨著最小部件尺寸的減小，在使用的每個工藝內出現了額外的問題，應該解決這些額外的問題。

發明內容

本發明的實施例提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在第一介電層內形成開口以暴露第一導電區域和第二導電區域；以及減小所述第一導電區域和所述第二導電區域之間的表面電位差。

本發明的另一實施例提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在低k介電層內形成第一通孔開口；在所述低k介電層內形成第一溝槽開口，其中，形成所述第一溝槽開口將所述第一通孔開口延伸穿過所述低k介電層；在所述第一通孔開口和所述第一溝槽開口內施加處理化學物質，其中，所述處理化學物質釋放所述第一通孔開口和所述第一溝槽開口內的表面電荷。

本發明的又一實施例提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在襯底上方沉積低k介電層；在所述低k介電層中形成第一開口；在形成所述第一開口之后實施襯墊去除工藝；施加第一處理化學物質，所述第一處理化學物質是揮發性的且具有低電導率；用與所述第一處理化學物質不同的第一清潔液清潔所述第一開口，清潔所述第一開口在去除所述第一處理化學物質之后實施；在清潔所述第一開口之后，沖洗所述第一開口；以及用導電材料填充所述第一開口。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據一些實施例的通孔開口的形成。

圖2示出了根據一些實施例的溝槽開口的形成。

圖3示出了根據一些實施例的第一處理化學物質的施加。

圖4示出了根據一些實施例的清潔液的施加。

圖5示出了根據一些實施例的通孔開口和溝槽開口的填充。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現本發明的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉90度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應的解釋。