[發明專利]一種擊穿測試結構、顯示面板和擊穿測試方法

有效

• 申請號: 201810995027.7
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109116198B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 劉振定;左博文;安亞斌;藺聰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種擊穿測試結構，其特征在于，所述結構包括：

基底；

有源層，所述有源層設置在所述基底上；

柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述有源層上，所述柵絕緣層與所述有源層邊沿對應的區域為爬坡區，位于所述爬坡區內部的區域為平面區；

柵極層，所述柵極層設置在所述柵絕緣層上，包括相接的第一柵部和第二柵部，所述第一柵部覆蓋所述平面區，所述第二柵部覆蓋所述爬坡區，所述第一柵部和/或所述第二柵部為鏤空圖案以露出所述柵絕緣層；

第一信號傳輸線，與所述有源層同層設置，并與所述有源層相連；

第二信號傳輸線，與所述柵極層同層設置，并與所述第二柵部相連；

所述第一信號傳輸線和所述第二信號傳輸線均具有端部，并且所述第一信號傳輸線的端部和所述第二信號傳輸線的端部均露出上表面。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述鏤空圖案為梳狀圖形。

3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述有源層和所述第一信號傳輸線均為摻雜有P型雜質的多晶硅層；

所述第一信號傳輸線中的P型雜質濃度，高于被所述柵極層覆蓋的所述有源層中的P型雜質濃度。

4.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述柵絕緣層為氧化硅層；

所述柵極層為金屬層。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求1-4任一項所述的擊穿測試結構。

6.一種擊穿測試方法，其特征在于，應用于權利要求1-5任一項所述的擊穿測試結構，所述擊穿測試結構包括基底、有源層、柵絕緣層和柵極層，所述柵絕緣層包括爬坡區和平面區，所述柵極層包括第一柵部和第二柵部，所述第一柵部和/或所述第二柵部為鏤空圖案，所述方法包括：

在所述有源層和所述柵極層上施加電壓，其中，所述電壓逐漸增大；

在所述柵絕緣層被擊穿時，確定擊穿電壓；

根據所述擊穿位置位于所述第一柵部，確定所述平面區被擊穿；根據所述擊穿位置位于所述第二柵部，確定所述爬坡區被擊穿。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述鏤空圖案為梳狀圖形。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述擊穿測試結構還包括第一信號傳輸線和第二信號傳輸線，所述第一信號傳輸線與所述有源層相連，所述第二信號傳輸線與所述第二柵部相連，所述第一信號傳輸線和所述第二信號傳輸線均具有端部；所述方法還包括：

在所述第一信號傳輸線的端部和所述第二信號傳輸線的端部施加電壓。