[發明專利]一種掩膜版

有效

• 申請號: 201810994585.1
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN109062001B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 杜建華;強朝輝;王治;關峰;高宇鵬;呂楊;任慶榮;李超;王鑫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F1/66
• 分類號: G03F1/66;G03F1/42
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明提供了一種掩膜版，涉及加工工藝技術領域。其中，所述掩膜版包括掩膜版盒，以及嵌套在掩膜版盒中的準直透鏡組合板。其中，掩膜版盒包括對盒設置的掩膜圖案板和第一準直透鏡板，第一準直透鏡板上的光線準直區域與掩膜圖案板上的透光區域位置對應；準直透鏡組合板上的光線準直區域可以大于掩膜圖案板上的透光區域。在本發明實施例中，掩膜圖案板上的透光區域與特定薄膜晶體管的圖案對應，準直透鏡組合板上的光線準直區域大于掩膜圖案板上的透光區域，從而準直透鏡組合板可以與不同掩膜圖案的掩膜版盒嵌套組合，形成不同的掩膜版，進而能夠對不同圖案的薄膜晶體管的a?Si進行區域化激光退火處理，提高了區域化激光退火掩膜版的通用性。

技術領域

本發明涉及加工工藝技術領域，特別是涉及一種掩膜版。

背景技術

在薄膜晶體管的加工過程中，可以采用區域化激光退火技術形成p-Si(多晶硅)，具體地，首先可以通過激光器發出激光光束，進而該激光光束可以通過掩膜版，選擇性地對薄膜晶體管溝道區域的a-Si(非晶硅)進行高位置精度的激光退火處理，使其晶化形成p-Si(多晶硅)，該技術又被成為PLAS(Partial Laser Anneal Silicon)或SLA(SelectiveLaser-Annealing)。

然而，目前的區域化激光退火掩膜版，通常是針對特定顯示面板薄膜晶體管圖案進行設計，因此難以適用于不同薄膜晶體管圖案的加工，通用性較差。

發明內容

本發明提供一種掩膜版，以解決現有的區域化激光退火掩膜版通用性差的問題。

為了解決上述問題，本發明公開了一種掩膜版，包括掩膜版盒，以及嵌套在所述掩膜版盒中的準直透鏡組合板；

所述掩膜版盒包括對盒設置的掩膜圖案板和第一準直透鏡板；所述第一準直透鏡板上的光線準直區域與所述掩膜圖案板上的透光區域位置對應；

所述準直透鏡組合板上的光線準直區域大于所述掩膜圖案板上的透光區域。

可選地，所述準直透鏡組合板包括層疊設置的至少兩個第二準直透鏡板，每個所述第二準直透鏡板均包括陣列排布的多個第一菲涅爾透鏡區域。

可選地，所述第一菲涅爾透鏡區域的入光面為平面，所述第一菲涅爾透鏡區域的出光面形成有多個同心圓環型突起部。

可選地，所述第一準直透鏡板包括多個第二菲涅爾透鏡區域，所述多個第二菲涅爾透鏡區域與所述掩膜圖案板上的透光區域位置對應。

可選地，所述第二菲涅爾透鏡區域的入光面為平面，所述第二菲涅爾透鏡區域的出光面形成有多個同心圓環型突起部。

可選地，所述同心圓環型突起部的寬度r滿足下述公式(1)；

r＝H/tanα (1)

在上述公式(1)中，所述H為所述同心圓環型突起部的高度，所述α為所述同心圓環型突起部的出光面與入光面之間的夾角。

可選地，所述第一菲涅爾透鏡區域的直徑大于或等于2微米，且小于或等于6微米。

可選地，所述第一準直透鏡板的材料包括玻璃、樹脂或塑料。

可選地，所述第二準直透鏡板的材料包括玻璃、樹脂或塑料。

可選地，所述掩膜圖案板包括石英襯底，以及形成在所述石英襯底上的金屬鉻阻光層。

與現有技術相比，本發明包括以下優點：