[發(fā)明專利]半導體裝置的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810994413.4
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109427558B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 蘇煜中;鄭雅如;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

在半導體裝置的形成方法中，形成第一光刻膠層于具有多個下方結構的基板上。以射線曝光第一光刻膠層。以顯影溶液顯影曝光的第一光刻膠層。形成平坦化層于顯影的第一光刻膠層上。下方結構包括多個凹陷部分，且凹陷部分的一部分未填有顯影的第一光刻膠層。

技術領域

本發(fā)明實施例關于半導體集成電路的形成方法，更特別關于使不平坦的圖案平坦化的方法。

背景技術

半導體產業(yè)進展至納米技術制程節(jié)點，以求更高的裝置密度、更高效能、與更低成本時，來自制作與設計的挑戰(zhàn)也變得更大。微影步驟為半導體制程中的關鍵步驟之一。在微影步驟中，下方結構是否平坦很重要，因為微影步驟中的聚焦容忍度很小。綜上所述，必需使不平坦的下方結構平坦化。

發(fā)明內容

本發(fā)明一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括：形成第一光刻膠層(photoresist layer，光阻層)于具有多個下方結構的基板上；以射線曝光第一光刻膠層；以顯影溶液顯影曝光的第一光刻膠層；以及形成平坦化層于顯影的第一光刻膠層上，其中下方結構包括多個凹陷部分，以及凹陷部分的部分未填有顯影的第一光刻膠層。

本發(fā)明一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括：形成光刻膠層于具有目標區(qū)的基板上，且目標區(qū)具有多個下方結構；以射線曝光光刻膠層；以顯影溶液顯影曝光的光刻膠層；形成平坦化層于顯影的光刻膠層上，其中下方結構包括多個凹陷部分；顯影的光刻膠層的頂部高于下方結構的頂部；以及目標區(qū)中的顯影的光刻膠層具有體積Ve，形成光刻膠層之前的目標區(qū)中的凹陷部分具有體積Vi，且0.9ViVe1.1Vi。

本發(fā)明一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括：以第一圖案化步驟形成多個下方結構，且第一圖案化步驟包括采用第一光罩(掩模)的微影步驟與蝕刻步驟；形成光刻膠層于下方結構上；以第二圖案化步驟形成多個第一平坦化圖案于光刻膠層上，且第二圖案化步驟包括采用第二光罩的微影步驟；以及形成第二平坦化層于第一平坦化圖案上，其中第二平坦化層的組成為有機材料，以及基板上相關的區(qū)域中的第二光罩的不透明區(qū)比例，隨著相關的區(qū)域中的第一光罩的不透明區(qū)比例而改變。

附圖說明

圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、與圖1E是本發(fā)明實施例中，依序形成半導體裝置的制程的多種階段的剖視圖。

圖2A與圖2B是本發(fā)明實施例中，依序形成半導體裝置的制程的多種階段的平面圖。

圖3A與圖3B是本發(fā)明實施例中，依序形成半導體裝置的制程的多種階段的平面圖。

圖4A與圖4B是本發(fā)明實施例中，依序形成半導體裝置的制程的多種階段的平面圖。

圖5A與圖5B是本發(fā)明實施例中，依序形成半導體裝置的制程的多種階段的平面圖。

圖6A、圖6B、與圖6C是本發(fā)明實施例中，依序形成半導體裝置的制程的多種階段的剖視圖。

圖7A是本發(fā)明實施例的圖案密度圖。

圖7B是本發(fā)明實施例的虛置圖案圖。

附圖標記說明：

A1 第一區(qū)

A2 第二區(qū)

A3 第三區(qū)

A4 第四區(qū)

A5 第五區(qū)

D1 深度

L1、L2 寬度

T1、T2、T3、T4 厚度

10 下方層