[發明專利]半導體裝置的形成方法

有效

• 申請號: 201810994413.4
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109427558B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 蘇煜中;鄭雅如;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

形成一第一光刻膠層于具有多個下方結構的一基板上；

以一射線曝光該第一光刻膠層；

以一顯影溶液顯影曝光的該第一光刻膠層；以及

形成一平坦化層于顯影的該第一光刻膠層上，

其中所述多個下方結構包括多個凹陷部分，以及

所述多個凹陷部分包括一第一組與一第二組，該第一組中的所述多個凹陷部分未填有顯影的該第一光刻膠層，而該第二組中的所述多個凹陷部分被顯影的該第一光刻膠層填滿。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該平坦化層的組成為一有機材料。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該平坦化層的組成為不同于該第一光刻膠層的一光刻膠。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該平坦化層的光學特性不同于該第一光刻膠層的光學特性。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該平坦化層與該第一光刻膠層的組成中，聚合物結構、酸活性分子、光酸產生劑用量、淬息劑用量、發色團、交聯劑、與溶劑的至少一者不同。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該平坦化層與該第一光刻膠層的組成相同。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該平坦化層的組成為底抗反射涂層材料。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中：

該基板包括一第一區與一第二區；

該第一區的所述多個凹陷部分相對于該第一區的所有面積的比例，不同于該第二區的所述多個凹陷部分相對于該第二區的所有面積的比例；以及

該第一區中填有顯影的該第一光刻膠層的所述多個凹陷部分相對于該第一區中所有所述多個凹陷部分的比例，不同于該第二區中填有顯影的該第一光刻膠層的所述多個凹陷部分相對于該第二區中所有所述多個凹陷部分的比例。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的形成方法，其中：

該第一區的所述多個凹陷部分相對于該第一區的所有面積的比例，小于該第二區的所述多個凹陷部分相對于該第二區的所有面積的比例；以及

該第一區中填有顯影的該第一光刻膠層的所述多個凹陷部分相對于該第一區中所有所述多個凹陷部分的比例，小于該第二區中填有顯影的該第一光刻膠層的所述多個凹陷部分相對于該第二區中所有所述多個凹陷部分的比例。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中曝光該第一光刻膠層之前，該第一光刻膠層填入所有的所述多個凹陷部分。

11.一種半導體裝置的形成方法，包括：

形成一光刻膠層于具有一目標區的一基板上，且該目標區具有多個下方結構；

以一射線曝光該光刻膠層；

以一顯影溶液顯影曝光的該光刻膠層；

形成一平坦化層于顯影的該光刻膠層上，

其中所述多個下方結構包括多個凹陷部分；

顯影的該光刻膠層的頂部高于所述多個下方結構的頂部，且所述多個凹陷部分包括一第一組與一第二組，該第一組中的所述多個凹陷部分未填有顯影的該光刻膠層，而該第二組中的所述多個凹陷部分被顯影的該光刻膠層填滿；以及

該目標區中的顯影的該光刻膠層具有體積Ve，形成該光刻膠層之前的該目標區中的所述多個凹陷部分具有體積Vi，且0.9ViVe1.1Vi。

12.如權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其中0.95ViVe1.05Vi。

13.如權利要求11所述的半導體裝置的形成方法，其中顯影的該光刻膠層包括線路與空間圖案。