[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請號: | 201810993464.5 | 申請日: | 2018-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN109545703B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | 巖尾通矩 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區堀川通寺之內上*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用于對基板實施使用處理液的處理,所述基板處理裝置包括:
基板保持單元,具有自旋底座,并用以保持所述基板;
隔斷構件,具有與由所述基板保持單元保持的所述基板的上表面相向的基板相向面,并具有比所述自旋底座大的直徑;
隔斷構件升降單元,使所述隔斷構件在隔斷位置與退避位置之間升降,其中,所述隔斷位置是將所述基板相向面與所述上表面之間的空間從所述上表面上的側方隔斷的位置,所述退避位置是從所述隔斷位置向上方退避的位置,且所述空間未從所述上表面上的側方被隔斷;以及
多個防護板,包括環繞在所述基板保持單元周圍的內側防護板、以及環繞在所述內側防護板周圍的外側防護板,所述多個防護板用以捕獲從所述基板與所述隔斷構件之間排出的處理液,所述內側防護板和所述外側防護板為筒狀,
其中所述外側防護板的內周端相較于所述內側防護板的內周端而位于徑向外側,
所述隔斷構件包括圓板部以及從所述圓板部的外周部向下方延伸的圓筒部,
所述外側防護板的內周端的直徑大于所述圓筒部的外徑,所述內側防護板的內周端的直徑等于或小于所述圓筒部的外徑。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中所述隔斷構件還包含與由所述基板保持單元保持的所述基板的周端相向的內周面。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中所述內側防護板及所述外側防護板分別具備隨著朝向徑向內側而朝向上方的傾斜部,且
所述外側防護板的所述傾斜部相較于所述內側防護板的所述傾斜部而被配置于上方,且各所述傾斜部的上端形成為所述內側防護板和所述外側防護板的內周端。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,還包括:
旋轉單元,用以使由所述基板保持單元保持的所述基板圍繞規定的旋轉軸線旋轉;
防護板升降單元,使所述多個防護板中的至少一者升降;及
控制裝置,控制所述隔斷構件升降單元、所述旋轉單元及所述防護板升降單元,且
所述控制裝置執行
第一處理工序,在利用所述隔斷構件升降單元將所述隔斷構件配置于所述退避位置、且利用所述防護板升降單元將所述多個防護板中的所述內側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下,利用所述旋轉單元使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉;及
第二處理工序,在利用所述隔斷構件升降單元將所述隔斷構件配置于所述隔斷位置、且利用所述防護板升降單元將所述多個防護板中的所述外側防護板配置成與所述基板的周端面相向的狀態下,利用所述旋轉單元使所述基板圍繞所述旋轉軸線旋轉。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,還包括:
第一噴嘴,具有設置于所述隔斷構件外側的第一處理液噴出口;及
第一處理液單元,對所述第一噴嘴供給第一處理液,
其中所述控制裝置在所述第一處理工序中還執行利用所述第一處理液單元將第一處理液從所述第一處理液噴出口朝所述基板的所述上表面噴出的工序。
6.根據權利要求4或5所述的基板處理裝置,還包括:
第二噴嘴,具有開口于所述基板相向面的第二處理液噴出口;及
第二處理液單元,對所述第二噴嘴供給第二處理液,
其中所述控制裝置在所述第二處理工序中還執行利用所述第二處理液單元將所述第二處理液從所述第二處理液噴出口朝所述基板的所述上表面噴出的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





