[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201810992184.2
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109860152B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 張耀文;張耕培;朱景升;徐晨佑
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768;H01L27/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

本公開實施例涉及半導體結構及其制造方法。本公開提供一種半導體結構，包含提供：金屬層；粘著增強層，其在所述金屬層上方；介電質堆疊，其在所述粘著增強層上方；接觸件，其穿透所述介電質堆疊及所述粘著增強層并與所述金屬層連接；阻障層，其放置于所述接觸件與所述介電質堆疊之間；及高k介電層，其放置于所述接觸件與所述阻障層之間。

技術領域

本揭露實施例涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

高電壓晶體管是可在高供應電壓下操作的半導體裝置。包含高電壓晶體管的高電壓集成電路廣泛用于顯示驅動器的應用中。例如，高電壓晶體管可集成于柵極驅動器IC中以供應顯示信號到高電壓顯示器。

在制造高電壓顯示器期間應用常規氫氟化物蒸汽(HF)操作。然而，歸因于銅線與鈍化層之間的不良粘著，高電壓顯示器結構易于在氫氟化物蒸汽(HF)操作之后遭受鈍化膜分層。另外，氫氟化物蒸汽(HF)還可引發鈍化側壁或經氧化鈍化側壁上的橫向孔。

發明內容

本揭露的實施例涉及一種半導體結構，其包括：金屬層；粘著增強層，其在所述金屬層上方；介電質堆疊，其在所述粘著增強層上方；接觸件，其穿透所述介電質堆疊、所述粘著增強層并與所述金屬層連接；阻障層，其放置于所述接觸件與所述介電質堆疊之間；及高k介電層，其放置于所述接觸件與所述阻障層之間。

本揭露的實施例涉及一種高電壓顯示器結構，其包括：半導體驅動器；其包括：金屬層；粘著增強層，其在所述金屬層上方；介電質堆疊，其在所述粘著增強層上方；接觸件，其穿透所述介電質堆疊、所述粘著增強層并與所述金屬層連接；阻障層，其放置于所述接觸件與所述介電質堆疊之間；高k介電層，其放置于所述接觸件與所述阻障層之間；及玻璃襯底，其包括導電墊，其中所述玻璃襯底透過所述接觸件及所述導電墊接合到所述半導體驅動器。

本揭露的實施例涉及一種形成半導體結構的方法，其包括：形成金屬層；通過硅化物操作在所述金屬層上方形成粘著增強層；在所述粘著增強層上方形成介電質堆疊；通過去除介電質堆疊的與所述金屬層對準的部分而在所述介電質堆疊中形成溝槽；形成適形于所述溝槽的側壁的阻障層；形成適形于所述阻障層的高k介電層；及在所述溝槽中形成接觸件并使其連接到所述金屬層。

附圖說明

當結合附圖閱讀時從以下詳細描述最佳理解本公開的方面。應注意，根據業界中的標準實踐，各種構件未按比例繪制。事實上，為了清楚論述起見，可任意增大或減小各種構件的尺寸。

圖1A及圖1B是根據本公開的一些實施例的半導體結構的剖面。

圖2A及圖2B是根據本公開的一些實施例的高電壓顯示器結構的剖面。

圖3A及圖3B是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖4到圖6是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖7A、圖7B及圖7B'是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖8A及圖8B是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖9A及圖9B是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖10A及圖10B是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖11A及圖11B是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

圖12A及圖12B是根據本公開的一些實施例的處于各個階段的半導體結構的剖面。

具體實施方式