[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201810992184.2
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN109860152B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 張耀文;張耕培;朱景升;徐晨佑
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768;H01L27/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

1.一種半導體結構，其包括：

金屬層；

粘著增強層，其在所述金屬層上方；

介電質堆疊，其在所述粘著增強層上方，所述介電質堆疊包括與所述粘著增強層介接的富硅氮化硅層，所述富硅氮化硅層接近所述介電質堆疊的底面；

接觸件，其穿透所述介電質堆疊、所述粘著增強層并與所述金屬層連接；

阻障層，其放置于所述接觸件與所述介電質堆疊之間，所述阻障層的底面位于所述富硅氮化硅層的溝槽而遠離所述粘著增強層；及

高k介電層，其放置于所述接觸件與所述阻障層之間。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述粘著增強層包括金屬硅化物。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述富硅氮化硅層的所述溝槽與所述高k介電層的底面介接。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述阻障層包括氮化鈦。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述接觸件的接近所述金屬層的部分包括第一寬度，其比所述接觸件的遠離所述金屬層的部分的第二寬度窄。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中所述高k介電層及所述阻障層在所述接觸件的遠離所述金屬層的所述部分下面延伸且橫向接觸所述接觸件的接近所述金屬層的所述部分。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述粘著增強層的厚度是在從約50埃到100埃的范圍中。

8.一種高電壓顯示器結構，其包括：

半導體驅動器，其包括：

金屬層；

粘著增強層，其在所述金屬層上方；

介電質堆疊，其在所述粘著增強層上方，所述介電質堆疊包括與所述粘著增強層介接的富硅氮化硅層，所述富硅氮化硅層接近所述介電質堆疊的底面；

接觸件，其穿透所述介電質堆疊、所述粘著增強層并與所述金屬層連接；

阻障層，其放置于所述接觸件與所述介電質堆疊之間，所述阻障層的底面位于所述富硅氮化硅層的溝槽而遠離所述粘著增強層；

高k介電層，其放置于所述接觸件與所述阻障層之間；及

玻璃襯底，其包括導電墊，

其中所述玻璃襯底透過所述接觸件及所述導電墊接合到所述半導體驅動器。

9.根據權利要求8所述的高電壓顯示器結構，其中所述粘著增強層包括金屬硅化物。

10.根據權利要求8所述的高電壓顯示器結構，其中所述富硅氮化硅層的所述溝槽與所述高k介電層的底面及所述阻障層的底面位于同一平面。

11.根據權利要求8所述的高電壓顯示器結構，其中所述阻障層包括氮化鈦。

12.根據權利要求8所述的高電壓顯示器結構，其中所述接觸件的接近所述金屬層的部分包括第一寬度，其比所述接觸件的遠離所述金屬層的部分的第二寬度窄。

13.根據權利要求12所述的高電壓顯示器結構，其中所述高k介電層及所述阻障層在所述接觸件的遠離所述金屬層的所述部分下面延伸且橫向接觸所述接觸件的接近所述金屬層的所述部分。

14.一種形成半導體結構的方法，其包括：

形成金屬層；

通過硅化物操作在所述金屬層上方形成粘著增強層；

在所述粘著增強層上方形成介電質堆疊，所述介電質堆疊包括與所述粘著增強層介接的富硅氮化硅層，所述富硅氮化硅層接近所述介電質堆疊的底面；

通過去除介電質堆疊的與所述金屬層對準的部分而在所述介電質堆疊中形成溝槽，所述溝槽的底面位于所述富硅氮化硅層；

形成適形于所述溝槽的側壁的阻障層；

形成適形于所述阻障層的高k介電層；及

在所述溝槽中形成接觸件并使所述接觸件連接到所述金屬層。