[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板

有效

• 申請號: 201810988346.5
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109192661B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 張揚;丁錄科;周斌;王海濤;劉寧;方金鋼;黃勇潮;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

依次層疊設置的遮光層、第一金屬層、絕緣層和混合層；

其中，所述第一金屬層包括相互間隔的柵極、源極和漏極，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；

所述遮光層包括位于所述柵極和所述源極之間的部分以及位于所述柵極和漏極之間的部分；

所述混合層包括第一導體層、第二導體層和有源層，所述有源層在其厚度方向的投影位于所述柵極在其厚度方向的投影范圍內，所述第一導體層和所述第二導體層分別位于所述有源層的兩側，所述第一導體層通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述源極電連接，所述第二導體層通過貫穿所述絕緣層的第二過孔與所述漏極電連接；

與所述遮光層位于同層的第二金屬層，所述第二金屬層包括分別位于所述柵極、所述源極和所述漏極正下方的部分；

所述遮光層與所述第二金屬層相連，且所述遮光層的材料為所述第二金屬層采用的金屬材料的氧化物。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層的材料為金屬氧化物半導體材料，所述第一導體層和第二導體層為對所述金屬氧化物半導體材料進行導體化后形成的。

3.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

依次形成遮光層、第一金屬層、絕緣層和混合層；

其中，所述第一金屬層包括相互間隔的柵極、源極和漏極，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；

所述遮光層包括位于所述柵極和所述源極之間的部分以及位于所述柵極和漏極之間的部分；

所述混合層包括第一導體層、第二導體層和有源層，所述有源層在其厚度方向的投影位于所述柵極在其厚度方向的投影范圍內，所述第一導體層和所述第二導體層分別位于所述有源層的兩側，所述第一導體層通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述源極電連接，所述第二導體層通過貫穿所述絕緣層的第二過孔與所述漏極電連接；

形成與所述遮光層位于同層的第二金屬層，所述第二金屬層包括分別位于所述柵極、所述源極和所述漏極正下方的部分；

所述遮光層與所述第二金屬層相連，且所述遮光層的材料為所述第二金屬層采用的金屬材料的氧化物。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述依次形成遮光層、第一金屬層、絕緣層和混合層，以及形成與所述遮光層位于同層的第二金屬層包括：

依次形成第二金屬材料層和第一金屬材料層；

對所述第二金屬材料層和所述第一金屬材料層進行處理，形成第二金屬層和遮光層，以及位于所述第二金屬層正上方的相互間隔的柵極、源極和漏極；

在所述遮光層、所述柵極、所述源極和所述漏極上形成絕緣層，并在所述絕緣層中形成貫穿所述絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔位于所述源極上方，所述第二過孔位于所述漏極上方；

在所述絕緣層上形成金屬氧化物半導體材料層，且所述金屬氧化物半導體材料層填充在所述第一過孔和所述第二過孔中；

對所述金屬氧化物半導體材料層進行處理，形成第一導體層、第二導體層和有源層，且位于所述第一過孔和所述第二過孔中的金屬氧化物半導體材料層變成導體層。