[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 201810987811.3
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109950376A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 陳立宜
• 申請（專利權）人: 美科米尚技術有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

發光二極管包含半導體層以及電極。第一型半導體層包含第一低電阻部位、第二低電阻部位以及介于第一低電阻部位與第二低電阻部位之間的高電阻部位。高電阻部位包圍第一低電阻部位并配置以將電荷載子實質地限制于第一低電阻部位內。第一型半導體層的電阻值由第一低電阻部位往高電阻部位增加，并由高電阻部位往第二低電阻部位減少。第一電極電性連接至第一低電阻部位，且第一電極與第二低電阻部位之間實質上并沒有電流流通。第一型半導體層的一部分介于第一電極與第二型半導體層之間。第二電極電性連接至第二型半導體層。

技術領域

本揭露有關于一種發光二極管。更明確而言，有關于一種具有電流限制結構的發光二極管。

背景技術

近年來，發光二極管(light-emitting diodes,LEDs)漸漸普及于商用的發光設備中。作為光源，發光二極管具有低耗能、高壽命、小尺寸以及開關迅速等優點，因此傳統的照明工具(如白熾燈)已經漸漸的被發光二極管光源所取代。

發明內容

本發明的目的在于提出新的發光二極管，增進發光二極管的發光效率，從而更加適于實用。

依據本揭露的一些實施方式，發光二極管包含第一型半導體層、第一電極、第二型半導體層以及第二電極。第一型半導體層包含第一低電阻部位、至少一個第二低電阻部位以及高電阻部位。高電阻部位介于第一低電阻部位以及第二低電阻部位之間。高電阻部位包圍第一低電阻部位。第一型半導體層的電阻值由第一低電阻部位往高電阻部位增加，并由高電阻部位往第二低電阻部位減少。第一電極電性連接至第一低電阻部位，且第一電極與第二低電阻部位之間實質上沒有電流流通。高電阻部位配置以實質上地限制電荷載子于第一低電阻部位內。第一型半導體層的至少一部分介于第一電極與第二型半導體層之間。第二電極電性連接至第二型半導體層。

在一些實施方式中，第二低電阻部位圍繞高電阻部位。

在一些實施方式中，多個第二低電阻部位具有同樣的電阻值。

在一些實施方式中，至少一個第二低電阻部位的數量為多個，且第二低電阻部位中的至少兩者具有相異的電阻值。

在一些實施方式中，高電阻部位定義出第一低電阻部位的形狀。

在一些實施方式中，第一電極與第一低電阻部位的至少一部分接觸，第一電極與高電阻部位的至少一部分接觸，且第一電極并未接觸第二低電阻部位。

在一些實施方式中，第一電極與第一低電阻部位的至少一部分接觸，且第一電極并未接觸高電阻部位與第二低電阻部位。

在一些實施方式中，發光二極管進一步包含第一電流控制層。第一電流控制層的至少一部分介于第一電極與第一型半導體層之間，第一電流控制層具有位于其內的第一開口，第一開口在第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與第一低電阻部位重疊，且第一電極通過第一開口電性連接至第一低電阻部位。

在一些實施方式中，發光二極管進一步包含第二電流控制層，其中第二電流控制層的至少一部分介于第一型半導體層的頂部表面與第二電極之間，第二電流控制層具有位于其內的第二開口，第二開口在第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與第一低電阻部位重疊。

在一些實施方式中，發光二極管進一步包含電流控制層，其中電流控制層的至少一部分介于第一電極與第二低電阻部位之間，電流控制層具有位于其內的開口，開口在第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與第一低電阻部位重疊，且第一電極通過開口電性連接至第一低電阻部位。

在一些實施方式中，發光二極管進一步包含電流控制層，位于第一型半導體層內，其中電流控制層具有位于其內的開口，且開口在第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與第一低電阻部位重疊。

在一些實施方式中，發光二極管進一步包含主動層，介于第一型半導體層以及第二型半導體層之間，其中電流控制層接觸主動層。