[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 201810987811.3
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109950376A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 陳立宜
• 申請（專利權）人: 美科米尚技術有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種發光二極管，其特征在于，包含：

第一型半導體層，包含第一低電阻部位、至少一個第二低電阻部位以及高電阻部位，其中該高電阻部位介于該第一低電阻部位以及該第二低電阻部位之間，該高電阻部位包圍該第一低電阻部位，且該第一型半導體層的電阻值由該第一低電阻部位往該高電阻部位增加，并由該高電阻部位往該第二低電阻部位減少；

第一電極，電性連接至該第一低電阻部位，且在該第一電極與該第二低電阻部位之間沒有電流流通，其中該高電阻部位配置以將電荷載子限制于該第一低電阻部位內部；

第二型半導體層，其中該第一型半導體層的至少一部分介于該第一電極與該第二型半導體層之間；以及

第二電極，電性連接至該第二型半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：其中該第二低電阻部位圍繞該高電阻部位。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：其中多個所述第二低電阻部位具有同樣的電阻值。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：其中該至少一個第二低電阻部位的數量為多個，且所述第二低電阻部位中的至少兩者具有相異的電阻值。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：其中該高電阻部位定義出該第一低電阻部位的形狀。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：其中該第一電極與該第一低電阻部位的至少一部分接觸，該第一電極與該高電阻部位的至少一部分接觸，且該第一電極并未接觸該第二低電阻部位。

7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：其中該第一電極與該第一低電阻部位的至少一部分接觸，且該第一電極并未接觸該高電阻部位與該第二低電阻部位。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，進一步包含：

第一電流控制層，其中該第一電流控制層的至少一部分介于該第一電極與該第一型半導體層之間，該第一電流控制層具有位于其內的第一開口，該第一開口在該第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與該第一低電阻部位重疊，且該第一電極通過該第一開口電性連接至該第一低電阻部位。

9.根據權利要求8所述的發光二極管，其特征在于，進一步包含：

第二電流控制層，其中該第二電流控制層的至少一部分介于該第一型半導體層的該頂部表面與該第二電極之間，該第二電流控制層具有位于其內的第二開口，該第二開口在該第一型半導體層的該頂部表面上的垂直投影至少部分地與該第一低電阻部位重疊。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，進一步包含：

電流控制層，其中該電流控制層的至少一部分介于該第一電極與該第二低電阻部位之間，該電流控制層具有位于其內的開口，該開口在該第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與該第一低電阻部位重疊，且該第一電極通過該開口電性連接至該第一低電阻部位。

11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，進一步包含：

電流控制層，位于該第一型半導體層內，其中該電流控制層具有位于其內的開口，且該開口在該第一型半導體層的頂部表面上的垂直投影至少部分地與該第一低電阻部位重疊。

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于，進一步包含：

主動層，介于該第一型半導體層以及該第二型半導體層之間，其中該電流控制層接觸該主動層。

13.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于，進一步包含：

主動層，介于該第一型半導體層以及該第二型半導體層之間，其中該第一型半導體層的一部分將該電流控制層與該主動層隔開。