[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810986717.6
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN110867444B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 曾健旭;徐嘉蘭;任楷;簡毅豪
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一襯底；

一介電結構，位于所述襯底上方；

一蓋層，位于所述介電結構上方，其中所述蓋層的一底部具有一M型剖面輪廓，且所述蓋層與所述介電結構由不同的材料形成，其中所述蓋層為一復合式蓋層，包括：

一第一蓋層，具有一U型剖面輪廓；以及

一第二蓋層，位于所述第一蓋層上，且所述第二蓋層具有一對足部，位于所述第一蓋層的兩側；以及

一對空氣間隙，位于所述足部與所述襯底之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一蓋層包括與所述介電結構具有不同刻蝕選擇比的材料。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述蓋層的一邊緣和所述介電結構的一邊緣形成一共同側壁。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，更包括一對導電結構，位于所述襯底上方，其中所述介電結構位于所述對導電結構之間。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，更包括一電容器，其中所述電容器的一底部鄰接所述蓋層。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上方形成一介電結構；

在所述介電結構上方形成具有一U型剖面輪廓的一第一蓋層，其中所述第一蓋層的形成包括：

凹蝕所述介電結構，以在所述介電結構的一中間部分形成一U型凹槽；

在所述U型凹槽中過填充一第一蓋層材料；以及

回刻蝕所述第一蓋層材料，直到露出所述介電結構的復數個周圍部分；

在所述第一蓋層上方形成一第二蓋層，其中所述第二蓋層在所述第一蓋層的兩側具有一對足部朝所述襯底延伸，使得所述第一蓋層和所述第二蓋層的復數個足部形成一M型剖面輪廓。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二蓋層的形成包括：

使用所述第一蓋層作為一遮罩，刻蝕所述介電結構露出的所述周圍部分，以在所述第一蓋層的兩側形成復數個間隙；以及

以一第二蓋層材料填充所述間隙，以形成所述第二蓋層的所述足部。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二蓋層材料填充所述間隙的復數個上部，以在所述間隙的復數個剩余部分形成復數個空氣間隙。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，更包括在所述襯底上方形成一對導電結構，其中所述介電結構位于所述導電結構之間。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，更包括在所述導電結構上方形成鄰接所述第二蓋層的一電容器。