[發明專利]集成組件和形成集成組件的方法

有效

• 申請號: 201810985471.0
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109427739B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 沃納·軍林
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及集成組件和形成集成組件的方法。一些實施例包含形成集成組件的方法。第一導電結構形成于絕緣支撐材料內并沿第一間距間隔。去除所述第一導電結構的上部區域以形成延伸穿過所述絕緣支撐材料并在所述第一導電結構的下部區域的上方的第一開口。所述第一開口的外側周邊加襯有間隔材料。所述間隔材料被配置成具有延伸穿過其到所述第一導電結構的所述下部區域的第二開口的導管。導電互連件形成于所述導管內。第二導電結構形成于所述間隔材料和所述導電互連件的上方。所述第二導電結構沿第二間距間隔，其中所述第二間距小于所述第一間距。一些實施例包含集成組件。

技術領域

具有沿第一間距的結構與沿不同于第一間距的第二間距的結構耦接的集成組件，和形成集成組件的方法。

背景技術

集成電路可以包含沿相對緊密(即，較小)間距形成的高集成度的結構以便實現高填充密度。舉例來說，存儲器單元可以布置于具有高填充密度的配置中。可以利用字線和數字線來尋址存儲器單元；其中字線沿第一方向延伸且數字線沿與所述第一方向相交的第二方向延伸。字線和數字線可以沿緊密間距形成以便能夠適當尋址緊密裝填堆積的存儲器單元。

集成電路還可以包含沿相對疏松(即，較大)間距形成的結構。這類結構可以包含邏輯邏輯、字線驅動器、讀出放大器、感測器等。使用術語“相對疏松”和“相對緊密”來關聯彼此，其中相對疏松間距大于相對緊密間距。

可能需要將沿相對疏松間距形成對結構與沿相對緊密間距形成的結構耦接。舉例來說，可能需要將字線驅動器與字線、讀出放大器與數字線等耦接。實現這類耦接是困難的，且因此需要研發適用于將沿相對疏松間距形成對結構與沿相對緊密間距形成的結構耦接的方法和架構。

發明內容

根據本發明的一方面，本發明提供一種集成組件，其包括：沿橫截面沿第一間距間隔的第一導電結構；所述第一導電結構沿所述橫截面具有第一寬度；在所述第一導電結構的上方并沿所述橫截面沿第二間距間隔的第二導電結構，所述第二間距小于或等于所述第一間距的約二分之一；所述第二導電結構沿所述橫截面具有小于所述第一寬度的第二寬度；所述第二導電結構中的超過一者沿所述橫截面直接在所述第一導電結構中的每一者的上方；以及導電互連件，其從所述第一導電結構中的每一者向上延伸以使所述第一導電結構中的每一者與直接在所述第一導電結構中的每一者上方的所述第二導電結構中的僅一者耦接；所述第二導電結構中的一些直接在所述第一導電結構的上方且不經由導電互連件耦接到所述第一導電結構；所述第二導電結構中的所述一些通過插入絕緣材料與所述第一導電結構垂直地間隔開。

根據本發明的另一方面，本發明提供一種形成集成組件的方法，其包括：使第一導電結構形成于絕緣支撐材料內并沿橫截面沿第一間距間隔；去除所述第一導電結構的上部區域以形成延伸到所述絕緣支撐材料中并且到所述第一導電結構的剩余下部區域的第一開口；使所述第一開口的外側周邊加襯有間隔材料；所述間隔材料被配置成具有延伸穿過其到所述第一導電結構的所述剩余下部區域的第二開口的導管；使導電互連件形成于所述第二開口內；以及使第二導電結構形成于所述間隔材料和所述導電互連件的上方；所述第二導電結構沿所述橫截面沿第二間距間隔，其中所述第二間距小于或等于所述第一間距的約二分之一；所述第二導電結構中的一些沿所述橫截面經由所述導電互連件電耦接到所述第一導電結構，并且所述第二導電結構中的一些沿所述橫截面直接在所述第一導電結構上方并通過所述間隔材料與所述第一導電結構間隔開。