[發(fā)明專利]集成組件和形成集成組件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810985471.0
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109427739B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沃納·軍林
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種集成組件，其包括：

沿橫截面沿第一間距間隔的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沿所述橫截面具有第一寬度；

在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上方并沿所述橫截面沿第二間距間隔的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二間距小于或等于所述第一間距的約二分之一；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沿所述橫截面具有小于所述第一寬度的第二寬度；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的超過一者沿所述橫截面直接在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每一者的上方；以及

導(dǎo)電互連件，其從所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每一者向上延伸以使所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每一者與直接在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每一者上方的所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的僅一者耦接；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些直接在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上方且不經(jīng)由導(dǎo)電互連件耦接到所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的所述一些通過插入絕緣材料與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)垂直地間隔開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組件，其中所述第二間距小于或等于所述第一間距的約三分之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組件，其中所述第二間距是所述第一間距的約四分之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組件，其中存在沿所述橫截面不直接在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方的額外第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；其中所述插入絕緣材料為第一絕緣材料；且其中所述額外第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接在第二絕緣材料上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成組件，其中所述第二絕緣材料是與所述第一絕緣材料相同的組合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成組件，其中所述第二絕緣材料是相對于所述第一絕緣材料不同的組合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成組件，其中所述第二絕緣材料包括二氧化硅且所述第一絕緣材料包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組件，其中所述插入絕緣材料被配置成中空管，且其中所述導(dǎo)電互連件在所述中空管內(nèi)向上延伸。

9.一種形成集成組件的方法，其包括：

使第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于絕緣支撐材料內(nèi)并沿橫截面沿第一間距間隔；

去除所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上部區(qū)域以形成延伸到所述絕緣支撐材料中并且到所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的剩余下部區(qū)域的第一開口；

使所述第一開口的外側(cè)周邊加襯有間隔材料；所述間隔材料被配置成具有延伸穿過其到所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所述剩余下部區(qū)域的第二開口的導(dǎo)管；

使導(dǎo)電互連件形成于所述第二開口內(nèi)；以及

使第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成于所述間隔材料和所述導(dǎo)電互連件的上方；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沿所述橫截面沿第二間距間隔，其中所述第二間距小于或等于所述第一間距的約二分之一；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些沿所述橫截面經(jīng)由所述導(dǎo)電互連件電耦接到所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并且所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些沿所述橫截面直接在所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方并通過所述間隔材料與所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)間隔開。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使所述第一開口的所述外側(cè)周邊加襯有所述間隔材料包括：

使所述間隔材料形成于所述絕緣支撐材料的上方并在所述第一開口內(nèi)；所述間隔材料僅部分地填充所述第一開口并使所述第一開口變窄；以及

各向異性地蝕刻所述間隔材料以將所述間隔材料形成為具有穿過其延伸的所述第二開口的所述導(dǎo)管。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使所述導(dǎo)電互連件形成于所述第二開口內(nèi)包括：

使導(dǎo)電材料形成于所述絕緣支撐材料的上方并在所述第二開口內(nèi)；以及

用平面化處理從所述絕緣支撐材料上方去除所述導(dǎo)電材料，所述平面化處理從所述導(dǎo)電材料形成所述導(dǎo)電互連件，且所述平面化處理沿所述絕緣支撐材料、沿所述間隔材料和沿所述導(dǎo)電互連件的所述導(dǎo)電材料形成平面化上表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接形成于所述平面化上表面上。