[發(fā)明專利]切斷裝置以及半導(dǎo)體封裝的搬送方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810980250.4 | 申請日: | 2018-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN109473376B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 石橋干司;藤原直己 | 申請(專利權(quán))人: | 東和株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市南區(qū)上鳥羽*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 切斷 裝置 以及 半導(dǎo)體 封裝 方法 | ||
本發(fā)明提供一種切斷裝置以及半導(dǎo)體封裝的搬送方法,在搬送機構(gòu)中設(shè)置分離機構(gòu),以簡化切斷平臺的構(gòu)成。切斷裝置具備:平臺(4),載置多個半導(dǎo)體芯片經(jīng)樹脂密封而成的工件;切斷機構(gòu),將工件切斷為多個半導(dǎo)體封裝(9)與多個廢棄部分(32a、32b);以及搬送機構(gòu)(33),對由切斷機構(gòu)切斷的多個半導(dǎo)體封裝(9)進行吸附并予以搬送,搬送機構(gòu)(33)具備分別對多個半導(dǎo)體封裝(9)進行抽吸的多個抽吸孔(38),以及使半導(dǎo)體封裝(9)與廢棄部分(32a、32b)分離的分離機構(gòu)(43)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種切斷裝置以及半導(dǎo)體封裝的搬送方法。
背景技術(shù)
作為現(xiàn)有技術(shù),例如,在專利文獻1中公開了一種加工物保持用吸盤。所述加工物保持用吸盤是對具備應(yīng)分開的多個零件及所述零件的廢料區(qū)域的加工物進行保持的吸盤,其具備:加工物保持裝置,以保持加工物的方式構(gòu)成;第1壓力單元,以保持零件的方式作動;第2壓力單元,以在使零件分開的期間保持位于吸盤的正上方的加工物的廢料區(qū)域的方式作動;在零件被分開后對第1壓力單元及第2壓力單元選擇性地進行作動解除的單元;以及清洗單元,在解除第2壓力單元的作動及維持第1壓力單元的作動時,通過清洗將廢料區(qū)域從吸盤自動地去除。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3940076號公報
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
在專利文獻1所公開的加工物保持用吸盤中,零件利用由第1真空源供給的第1壓力單元保持于吸盤上。廢料區(qū)域利用由第2真空源供給的第2壓力單元保持于吸盤上。這些第1真空源及第2真空源能獨立且單獨進行控制。即,所述加工物保持用吸盤具有用以保持零件的第1真空源以及用以保持廢料區(qū)域的第2真空源。由此在加工物保持用吸盤中設(shè)置有兩個系統(tǒng)的真空抽吸機構(gòu)。因此,有加工物保持用吸盤的構(gòu)成變得復(fù)雜,加工物保持用吸盤的制造成本增大的問題。
本發(fā)明用以解決所述問題,其目的在于提供一種切斷裝置以及半導(dǎo)體封裝的搬送方法,通過在搬送機構(gòu)中設(shè)置使半導(dǎo)體封裝與廢棄部分分離的分離機構(gòu),可簡化切斷平臺的構(gòu)成。
[解決問題的技術(shù)手段]
為了解決所述問題,本發(fā)明的切斷裝置具備:平臺,載置多個半導(dǎo)體芯片經(jīng)樹脂密封而成的工件;切斷機構(gòu),將工件切斷為多個半導(dǎo)體封裝與多個廢棄部分;以及搬送機構(gòu),對由切斷機構(gòu)切斷的多個半導(dǎo)體封裝進行吸附并予以搬送,搬送機構(gòu)具備分別對多個半導(dǎo)體封裝進行抽吸的多個抽吸孔,以及使半導(dǎo)體封裝與廢棄部分分離的分離機構(gòu)。
為了解決所述問題,本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝的搬送方法包括:載置步驟,將多個半導(dǎo)體芯片經(jīng)樹脂密封而成的工件載置于平臺;切斷步驟,將工件切斷為多個半導(dǎo)體封裝與多個廢棄部分;以及搬送步驟,將多個半導(dǎo)體封裝分別吸附至搬送機構(gòu)中所設(shè)置的多個抽吸孔并予以搬送,搬送步驟中包括使半導(dǎo)體封裝與廢棄部分分離的分離步驟。
[發(fā)明的效果]
根據(jù)本發(fā)明,通過在搬送機構(gòu)中設(shè)置使半導(dǎo)體封裝與廢棄部分分離的分離機構(gòu),可簡化切斷平臺的構(gòu)成。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的切斷裝置的概要的平面圖。
圖2(a)及圖2(b)是表示由圖1所示的切斷裝置切斷的封裝基板的概要圖,圖2(a)是平面圖,圖2(b)是正面圖。
圖3(a)~圖3(c)是表示將圖2(a)及圖2(b)所示的封裝基板切斷為半導(dǎo)體封裝與廢棄部分的步驟的概略步驟剖面圖。
圖4(a)及圖4(b)是表示將封裝基板切斷為半導(dǎo)體封裝與廢棄部分的狀態(tài)的概要圖,圖4(a)是平面圖,圖4(b)是A-A線剖面圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東和株式會社,未經(jīng)東和株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810980250.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





