[發(fā)明專(zhuān)利]金屬膜蝕刻液組合物及利用其的導(dǎo)電圖案形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810975544.8
• 申請(qǐng)日: 2018-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109423647B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈慶輔;金童基;南基龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東友精細(xì)化工有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23F1/16
• 分類(lèi)號(hào): C23F1/16;C23F1/30;H01L21/306
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;宋海花

本發(fā)明提供一種金屬膜蝕刻液組合物及利用其的導(dǎo)電圖案形成方法，該金屬膜蝕刻液組合物包含蝕刻引發(fā)劑、無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸、有機(jī)鹽以及余量的水，且在常溫下，粘度為1～3.3cp。通過(guò)使用金屬膜蝕刻液組合物，能夠形成蝕刻不良減少且具有提高了的均勻性的微細(xì)尺寸的導(dǎo)電圖案。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及金屬膜蝕刻液組合物及利用其的導(dǎo)電圖案形成方法。更詳細(xì)而言，涉及包含酸成分的金屬膜蝕刻液組合物及利用其的導(dǎo)電圖案形成方法。

背景技術(shù)

例如，作為半導(dǎo)體裝置和顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路中的一部分，利用薄膜晶體管(ThinFilm Transistor：TFT)。TFT例如在有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置或液晶顯示裝置(LCD)的基板上按照各個(gè)像素排列，像素電極、對(duì)電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線、電源線等配線可以與上述TFT電連接。

為了形成上述電極或配線，可以在顯示器基板上形成金屬膜，在上述金屬膜上形成光致抗蝕劑后，使用蝕刻液組合物將上述金屬膜部分地去除。

為了減小配線電阻而防止信號(hào)傳遞延遲，且確保配線的耐化學(xué)性、穩(wěn)定性，上述金屬膜可以形成為包含彼此具有不同化學(xué)特性的異種金屬或異種導(dǎo)電物質(zhì)的多層膜。

例如，為了呈現(xiàn)低電阻特性，可以形成含銀(Ag)膜，且為了提高耐化學(xué)性、穩(wěn)定性和透過(guò)度，可以追加形成氧化銦錫(Indium Tin Oxide：ITO)之類(lèi)的透明導(dǎo)電性氧化物膜。

上述蝕刻液組合物一般包含大量的酸成分。根據(jù)上述酸成分的種類(lèi)，蝕刻特性會(huì)發(fā)生變化，可能引發(fā)發(fā)生過(guò)蝕刻或未蝕刻、蝕刻殘留物等不良。此外，上述酸成分中含有大量粘度大的酸溶液的情況下，由于組合物流動(dòng)不暢，因而可能無(wú)法確保均勻的蝕刻特性。

例如，韓國(guó)注冊(cè)專(zhuān)利第10-0579421號(hào)中公開(kāi)了一種銀蝕刻液組合物，但在充分解決由上述酸成分導(dǎo)致的蝕刻不均勻性方面存在局限。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

韓國(guó)注冊(cè)專(zhuān)利公報(bào)10-0579421號(hào)(2006.05.08.)

發(fā)明內(nèi)容

所要解決的課題

本發(fā)明的一課題在于，提供具有提高了的蝕刻均勻性、高分辨率的金屬膜蝕刻液組合物。

本發(fā)明的一課題在于，提供使用上述金屬膜蝕刻液組合物的導(dǎo)電圖案形成方法。

本發(fā)明的一課題在于，提供使用上述金屬膜蝕刻液組合物的顯示器基板的制造方法。

解決課題方法

1.一種金屬膜蝕刻液組合物，其包含蝕刻引發(fā)劑、無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸、有機(jī)鹽以及余量的水，且在常溫下，粘度為1～3.3cp。

2.如1所述的金屬膜蝕刻液組合物，上述蝕刻引發(fā)劑包含選自由硫化過(guò)氧化物、過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸鹽和過(guò)硝酸鹽組成的組中的至少一種。

3.如2所述的金屬膜蝕刻液組合物，上述蝕刻引發(fā)劑包含過(guò)硫酸氫鉀制劑(oxone)。

4.如1所述的金屬膜蝕刻液組合物，上述無(wú)機(jī)酸包含硝酸。

5.如1所述的金屬膜蝕刻液組合物，上述有機(jī)酸包含第一有機(jī)酸以及酸性比所述第一有機(jī)酸弱的第二有機(jī)酸。

6.如5所述的金屬膜蝕刻液組合物，上述第一有機(jī)酸包含乙酸，