[發明專利]一種柔性顯示基板的制備方法在審
| 申請號: | 201810974575.1 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN109087936A | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發明(設計)人: | 楊靜;謝明哲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 柔性顯示 基板 制備 激光剝離 分離層 附著力 機械分離 顯示基板 顯示元件 易分離 鋼性 背面 損傷 受損 | ||
1.一種柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,包括以下制備步驟:
在剛性襯底上形成易分離結構;所述易分離結構包括第一分離層和第二分離層,所述第一分離層相較于所述第二分離層更靠近剛性襯底形成;
在易分離結構上形成柔性襯底;
在柔性襯底上形成顯示元件;
對易分離結構的第一分離層和第二分離層進行機械分離,以使剛性襯底與柔性襯底分離;其中,第一分離層與剛性襯底之間的附著力大于所述第一分離層與第二分離層之間的附著力。
2.根據權利要求1所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述形成易分離結構包括:
形成鉬金屬層的步驟;以及將鉬金屬層背離剛性襯底的一側的表面氧化形成氧化鉬薄膜的步驟,其中,未被氧化的鉬金屬層為第一分離層,氧化鉬薄膜為第二分離層。
3.根據權利要求2所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述形成易分離結構的步驟中,在形成氧化鉬薄膜之前還包括:
將鉬金屬層圖案化的步驟,且所述柔性襯底至剛性襯底的正投影落入圖案化的鉬金屬層至剛性襯底的正投影范圍內。
4.根據權利要求2所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述氧化鉬薄膜的厚度為10埃米-100埃米。
5.根據權利要求1所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述形成柔性襯底包括采用有機材料形成第一柔性層的步驟。
6.根據權利要求5所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述形成第一柔性層包括采用聚酰亞胺溶液涂覆形成第一柔性層。
7.根據權利要求5所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述第一柔性層的厚度為10-20μm。
8.根據權利要求5所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述形成柔性襯底的步驟中,在形成第一柔性層之前還包括:采用無機絕緣材料形成調節層的步驟。
9.根據權利要求8所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述調節層的厚度為10埃米-800埃米。
10.根據權利要求8所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述無機絕緣材料包括氧化硅或氮化硅。
11.根據權利要求1所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述柔性顯示基板為柔性OLED顯示基板,所述在柔性襯底上形成顯示元件包括:
形成TFT陣列結構的步驟,形成有機發光單元的步驟,以及形成封裝層的步驟。
12.根據權利要求1所述的柔性顯示基板的制備方法,其特征在于,所述剛性襯底與柔性襯底分離之后還包括:
在柔性襯底的背離顯示元件的一側貼附保護膜的步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





