[發明專利]一種W摻雜Bi2O3納米結構的制備方法在審
| 申請號： | 201810974360.X | 申請日： | 2018-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN109078633A | 公開（公告）日： | 2018-12-25 |
| 發明（設計）人： | 曾祥濤;夏鈺東;王紅艷;朱浩;孫柏;倪宇翔 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | B01J23/30 | 分類號： | B01J23/30;B01J35/02 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 610031 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 法線 摻雜 基片法線 納米結構 濺射 機械泵抽真空 納米結構陣列 三維納米結構 退火 磁控濺射儀 光催化材料 氬氣 玻璃基片 基片平面 可旋轉的 石英玻璃 直流濺射 超聲波 分子泵 干燥箱 關閉腔 丙酮 水中 氣壓 離子 轉動 切割 清洗 交流 | ||
1.一種W摻雜Bi2O3納米結構的制備方法，包括如下步驟：
步驟a、將石英玻璃切割成面積大小一致的小片，然后依次在丙酮、無水乙醇、去離子水中采用超聲波各清洗5分鐘，作為基片，干燥備用；
步驟b、將步驟a得到的石英玻璃基片固定在磁控濺射儀的可旋轉樣品臺上，使基片平面與水平面成5°～10°夾角；將W靶和Bi2O3靶安裝在磁控濺射儀腔內，Bi2O3靶法線與基片法線成80°～90°，靶間距為6～7cm，W靶法線與基片法線夾角40°～55°，靶間距為10～11cm，關閉腔門；
步驟c、使用機械泵對磁控濺射儀抽真空，使工作腔內的真空度達到5×10-4pa以下，再向工作腔內充入氬氣，將工作腔內氣壓升到0.2～0.5pa，形成氬氣氛圍；
步驟d、在步驟c所述的條件下，先后打開樣品臺轉動開關和濺射開關，W靶直流濺射，Bi2O3靶交流濺射，同時濺射30分鐘，然后打開放氣閥，開門并將樣品取出；
步驟e、將步驟d得到的基片樣品放于干燥箱中500℃退火1小時，結晶，即得到具有三維納米結構的W摻雜Bi2O3納米結構陣列。
2.如權利要求1所述的一種W摻雜Bi2O3納米結構的制備方法，其特征在于：步驟b中所述的Bi2O3靶安裝角度為85°，W靶為45°。
3.如權利要求1所述的一種W摻雜Bi2O3納米結構的制備方法，其特征在于：步驟d中所述的W靶直流濺射的濺射電流在0.05～0.2A之間，Bi2O3靶交流濺射的功率在200W。
4.如權利要求1所述的一種W摻雜Bi2O3納米結構的制備方法，其特征在于：步驟e所述干燥箱內氣氛為空氣或氧氣。
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