[發(fā)明專(zhuān)利]光刻設(shè)備以及光刻方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810973109.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110858058B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張俊霖;張漢龍;傅中其;劉柏村;陳立銳;鄭博中 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F7/20 | 分類(lèi)號(hào): | G03F7/20 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 李玉鎖;章侃銥 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻 設(shè)備 以及 方法 | ||
1.一種光刻設(shè)備,包括:
一激發(fā)腔;
一標(biāo)的發(fā)射器,用以沿一第一方向朝向該激發(fā)腔內(nèi)的一激發(fā)區(qū)域發(fā)射一標(biāo)的;
一主激光發(fā)射器,用以發(fā)射一主脈沖激光至該激發(fā)區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)的;以及
一激光真空裝置,用以大致沿該第一方向發(fā)射一真空激光至該激發(fā)腔內(nèi),以于該激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道;
其中于該激光真空裝置發(fā)射該真空激光之后,該標(biāo)的發(fā)射器發(fā)射該標(biāo)的通過(guò)該真空通道進(jìn)入該激發(fā)區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中該主激光發(fā)射器發(fā)射該主脈沖激光的頻率、該標(biāo)的發(fā)射器發(fā)射該標(biāo)的的頻率、以及該激光真空裝置發(fā)射該真空激光的頻率相同。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,還包括一預(yù)激光發(fā)射器,用以發(fā)射一預(yù)脈沖激光至該激發(fā)區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)的,其中該標(biāo)的發(fā)射器發(fā)射該標(biāo)的之后,該預(yù)脈沖激光以及該主激光發(fā)射器按序發(fā)射該預(yù)脈沖激光以及該主脈沖激光。
4.如權(quán)利要求3所述的光刻設(shè)備,其中該預(yù)激光發(fā)射器發(fā)射該預(yù)脈沖激光的頻率與該激光真空裝置發(fā)射該真空激光的頻率相同。
5.如權(quán)利要求3所述的光刻設(shè)備,其中該真空激光的功率小于該預(yù)脈沖激光的功率以及該主脈沖激光的功率。
6.如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備,其中該主激光發(fā)射器沿一第二方向發(fā)射該主脈沖激光,其中該第一方向不同于該第二方向。
7.一種光刻設(shè)備,包括:
一激光真空裝置,用以大致沿一第一方向發(fā)射一真空激光至于一激發(fā)腔內(nèi),以使該激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道;以及
一標(biāo)的發(fā)射器,用以沿該第一方向發(fā)射一標(biāo)的,其中該標(biāo)的通過(guò)該真空通道至一激發(fā)區(qū)域。
8.一種光刻方法,包括:
經(jīng)由一激光真空裝置大致沿一第一方向發(fā)射一真空激光至一激發(fā)腔內(nèi),以使該激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道;
于發(fā)射該真空激光后,經(jīng)由一標(biāo)的發(fā)射器沿該第一方向發(fā)射一標(biāo)的,且該標(biāo)的經(jīng)由該真空通道至一激發(fā)區(qū)域;以及
經(jīng)由一主激光發(fā)射器發(fā)射一主脈沖激光至該激發(fā)區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)的。
9.如權(quán)利要求8所述的光刻方法,還包括于該主脈沖激光照射至該激發(fā)區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)的之前,經(jīng)由一預(yù)激光發(fā)射器發(fā)射一預(yù)脈沖激光至該激發(fā)區(qū)域內(nèi)的該標(biāo)的,其中該真空激光的功率小于該預(yù)脈沖激光的功率以及該主脈沖激光的功率。
10.如權(quán)利要求8所述的光刻方法,其中該真空激光離子化該激發(fā)腔內(nèi)的氣體以形成該真空通道。
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