[發(fā)明專利]光刻設(shè)備以及光刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810973109.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN110858058B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張俊霖;張漢龍;傅中其;劉柏村;陳立銳;鄭博中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李玉鎖;章侃銥

本公開提供一種光刻設(shè)備，包括一激發(fā)腔、一標(biāo)的發(fā)射器、一主激光發(fā)射器、以及一激光真空裝置。標(biāo)的發(fā)射器用以朝向激發(fā)腔內(nèi)的一激發(fā)區(qū)域發(fā)射一標(biāo)的。主激光發(fā)射器用以發(fā)射一主脈沖激光至激發(fā)區(qū)域內(nèi)的標(biāo)的。激光真空裝置用以發(fā)射一真空激光至至激發(fā)腔內(nèi)，且以于激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道。激光真空裝置發(fā)射真空激光之后，標(biāo)的發(fā)射器發(fā)射標(biāo)的通過真空通道進(jìn)入激發(fā)區(qū)域。本公開提供的光刻設(shè)備可增加主激光發(fā)射器擊中標(biāo)的的精準(zhǔn)度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開主要關(guān)于一種半導(dǎo)體設(shè)備及方法，特別涉及一種光刻設(shè)備及方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置已使用于多種電子上的應(yīng)用，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)以及其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體裝置基本上按序經(jīng)由沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)電層、以及半導(dǎo)體層的材料至一晶圓、以及使用光刻技術(shù)圖案化多種材料層來形成電路組件以及元件于其上而被制造。許多集成集成電路一般制造于一單一晶圓，且晶圓上個(gè)別的晶粒于集成電路之間沿著一切割線被切割分離。舉例而言，個(gè)別的晶粒基本上被分別的封裝于一多芯片模塊或是其他類型的封裝。

由于半導(dǎo)體工藝的尺寸的小型化的要求，于光刻設(shè)備中采用了極紫外線作為曝光工藝中的光源，以使晶圓上的光刻膠形成適用于小于20nm半導(dǎo)體工藝的圖案。

然而，雖然目前使用極紫外線作為曝光工藝中的光源的光刻設(shè)備符合了其使用的目的，但尚未滿足許多其他方面的要求。因此，需要提供光刻設(shè)備的改進(jìn)方案。

發(fā)明內(nèi)容

本公開提供了一種光刻設(shè)備，包括一激發(fā)腔、一標(biāo)的發(fā)射器、一主激光發(fā)射器、以及一激光真空裝置。標(biāo)的發(fā)射器用以朝向激發(fā)腔內(nèi)的一激發(fā)區(qū)域發(fā)射一標(biāo)的。主激光發(fā)射器用以發(fā)射一主脈沖激光至激發(fā)區(qū)域內(nèi)的標(biāo)的。激光真空裝置用以發(fā)射一真空激光至激發(fā)腔內(nèi)，且以于激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道。激光真空裝置發(fā)射真空激光之后，標(biāo)的發(fā)射器發(fā)射標(biāo)的通過真空通道進(jìn)入激發(fā)區(qū)域。

本公開提供了一種光刻設(shè)備，包括一激光真空裝置以及一標(biāo)的發(fā)射器。激光真空裝置用以大致沿一第一方向發(fā)射一真空激光至一激發(fā)腔內(nèi)，以于激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道。標(biāo)的發(fā)射器用以沿第一方向發(fā)射一標(biāo)的，其中標(biāo)的通過真空通道至一激發(fā)區(qū)域。

本公開提供了一種光刻方法包括，經(jīng)由一激光真空裝置發(fā)射一真空激光至一激發(fā)腔內(nèi)，以使激發(fā)腔內(nèi)形成一真空通道；于發(fā)射真空激光后，經(jīng)由一標(biāo)的發(fā)射器發(fā)射一標(biāo)的，且標(biāo)的經(jīng)由真空通道至一激發(fā)區(qū)域；以及經(jīng)由一主激光發(fā)射器發(fā)射一主脈沖激光至激發(fā)區(qū)域內(nèi)的標(biāo)的。

附圖說明

圖1為根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的光刻設(shè)備的示意圖。

圖2為根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的光刻方法的步驟流程圖。

圖3為根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的光刻方法的時(shí)間圖。

圖4A以及圖4B為根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的光刻設(shè)備于光刻方法中的一中間階段的示意圖。

附圖標(biāo)記說明：

光刻設(shè)備1

光源裝置10

曝光腔20

照明裝置30

掩模裝置40

掩模座41

光學(xué)投影裝置50

反射鏡51

晶圓座60

激發(fā)腔A10

光線通道A11

標(biāo)的發(fā)射器A20

標(biāo)的回收器A30

光線聚集器A50

通孔A51